Отсутствие - влияние
Cтраница 3
Отсутствие влияния содержания в смеси NO и О2 на интенсивность теплообмена при конденсации объясняется двумя факторами: снижением концентрации этих компонентов у поверхности раздела фаз в связи с протеканием реакции рекомбинации, так как химические реакции сглаживают профили концентраций, а также выделяющейся теплотой реакции. [31]
Отсутствие влияния лития на кажущуюся энергию активации каталитического окисления окиси углерода должно быть связано, по моему мнению, с тем, что Ваш способ получения твердых растворов NiO - Li20 сильно отличается от способа, применявшегося большинством других исследователей. [32]
Отсутствие влияния адсорбента на форму изотермы приводит к тому, что кривые зависимости lg V от произвольной функции р / р0 должны совмещаться при смещении вдоль ординаты. Эти представления хорошо подтверждаются экспериментально-см. [33]
Отсутствие влияния неровно-стейдороги иповоротана работу тормозов необходимо для того, чтобы тормозы не затягивались сами ни при каких условиях движения. [34]
 |
Калориметр для тарировки термозондов. [35] |
Отсутствие влияния температуры воды в наружном охлаждающем контуре на температуру во внутреннем измерительном контуре проверялось специально. [36]
 |
Автокамленсациомная схема измерения с двумя источниками и двумя приемниками излучения. [37] |
Отсутствие влияния распада изотопов та точность прибора расширяет возможности выбора радиоизотопов по периоду полураспада. [38]
Отсутствие влияния объема пробы в анализе метилпентадиена кажется странным, если учесть резко выраженное влияние этой переменной на результаты, получаемые иодометрическим методом для диенов с сопряженными связями. [40]
Отсутствие влияния объема пробы в анализе метилпентадиена кажется странным, если учесть резко выраженное влияние этой переменной на результаты, получаемые иодометрическим методом для диенов с сопряженными связями. [42]
 |
Пьезооптический преобразователь. [43] |
Отсутствие влияния выходной стороны на входную очевидно, а чувствительность к перемещению по току равна аФ0 / б Типичная чувствительность полупроводниковых фотоприемников а - 10 А / лм, а поток Ф0 от источника некогерентного света с конденсатором может быть порядка 1СГ1 лм, что при б - 1 мм дает чувствительность по перемещению около 1 мА / мм. С фотоумножителем чувствительность на порядок выше, однако он значительно сложнее в применении. [44]
 |
Удельный расход топлива в различных двигателях. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5