Охлаждение - система
Cтраница 4
 |
Поли рма тройной системы. [46] |
При охлаждении системы ее фигуративная точка будет передвигаться на политерме вниз по линии М [ М, в вертикальной проекции - по М М1, а в горизонтальной проекции будет оставаться неподвижной в точке М, так как состав системы не изменяется. [47]
При охлаждении системы, отвечающей фигуративной точке р, состав х раствора не меняется до температуры t C. Дальнейшее понижение температуры обусловливает выделение твердого раствора, более богатого золотом, чем исходный расплав, жидкая фаза при этом обогащается серебром. [48]
 |
Объемная диаграмма простой трехкомпонентной системы. [49] |
При охлаждении системы точка п будет двигаться вниз, шока ие достигнет поверхности adqe в точке п, в которой 1из расплава начнут выпадать кристаллы ( компонента А. [50]
 |
Диаграмма фазового состояния системы Н. - С НдОН с растворимостью компонентов. [51] |
При охлаждении системы с массовым содержанием С4Н9ОН 68 % до 370 К - система гомогенная. [52]
 |
Кривые охлаждения неизоморфной системы Al-Si ( a и диаграмма плавкости этой системы ( б. [53] |
При охлаждении системы, содержащей 40 % кремния ( кривая 4), изменение скорости охлаждения уже при 1219 К, а горизонтальная площадка наблюдается при той же температуре, что и при охлаждении расплава, содержащего 80 % кремния, при 845 К. При 1219 К на-кристаллизация кремния из расплава, расплав обогащается 1, температура кристаллизации снижается, при 845 К кри-эвтектика. Длина горизонтального участка на кривой пропорциональна теплоте, выделяющейся при кристаллизации эвтектики. [54]
 |
Диаграмма плавкости. [55] |
При охлаждении системы до температуры 7 система гомогенная, одна жидкая фаза. Так как из расплава в твердую фазу выделяется только компонент А, то соотношение концентраций компонентов В и С в жидком расплаве не меняется. В точке 3 Расплав становится насыщенным не только компонентом А, но и компо-нентом В. При этой температуре из расплава начинает кристаллизоваться совместно с компонентом А компонент В. Тройная эвтектика ( точка g) находится при температуре Tt. При температуре Т4 вся система кристаллизуется и будет гетерогенной, трехфазной. При дальнейшем охлаждении системы охлаждаются компонентов А, В и С, что отражено на диаграмме стрелка ребрах призмы. Весь процесс охлаждения системы на рис. 39 отражен стрелками. [56]
 |
Последовательность фазовых переходов второго рода в процессе кристаллизации сталей ( 1 2 3. [57] |
При охлаждении кристаллизующейся системы в ней возникает градиент температур, направленный от центра расплава к стенкам сосуда, в котором этот расплав кристаллизуется. В этом случае принцип взаимности Онзагера, проявляется в стремлении кристаллизующейся системы к компенсации воздействующего на систему температурного градиента за счет выделения теплоты при образовании связей между элементами уплотнения. [58]
При охлаждении кристаллизующейся системы в ней возникает градиент температур, направленный от центра расплава к стенкам сосуда, в котором этот расплав кристаллизуется. [59]
 |
Диаграмма температура - состав для системы с эвтектикой, образованной жидкой и твердыми фазами, и кривые охлаждения. [60] |
Страницы: 1 2 3 4 5