Cтраница 1
Прямой блокинг-процесс заканчивается переходом транзистора в режим насыщения ( момент времени t) и потерей управляющих свойств. [1]
Прямой блокинг-процесс продолжается до тех пор, пока триод не входит в режим насыщения. [2]
Заканчивается прямой блокинг-процесс полным отпиранием транзистора и переходом его в режим насыщения. [3]
После окончания прямого блокинг-процесса с момента времени t2 формируется вершина импульса. Начинается процесс заряда емкости С через открытый транзистор под действием ЭДС еб в базовой обмотке. [4]
При таком соотношении параметров прямой блокинг-процесс развивается, как указывалось, столь быстро ( если индуктивность рассеяния обмоток трансформатора мала), что практически фронт импульса можно считать ограниченным только временем, необходимым для заряда паразитной емкости Сск сетка - катод лампы и разряда емкости Сак анод - катод. [5]
При включении питания в момент t t0 происходит прямой блокинг-процесс и формируется фронт импульса, затем транзистор входит в режим насыщения и происходит формирование вершины. [6]
В силу согласованного по знакам увеличения базового и коллекторного токов в триоде развивается прямой блокинг-процесс. Этот процесс завершается при насыщении триода, что имеет место еще до перехода рабочей точки на вертикальный участок кривой намагничивания либо одновременно с этим переходом. [7]
В тот момент времени, когда напряжение на базе и6 превышает пороговое значение 1 / п, транзистор открывается и происходит прямой блокинг-процесс. Из рис. 1.46 я видно, что в момент времени t, когда отрицательное напряжение на базе имеет еще большое значение, поступает первый синхроимпульс. При этом напряжение на базе и5 меньше уровня отпирания транзистора и состояние блокинг-генератора остается прежним. Транзистор заперт, конденсатор продолжает разряжаться. [8]
Пока транзистор находится в активном режиме, коэффициент усиления больше единицы и процесс развивается лавинообразно. В ходе этого процесса, называемого прямым блокинг-процессом, формируется фронт импульса. [9]
Под действием эдс взаимоиндукции конденсатор С2 заряжается током базы насыщенного транзистора VT. Вершина импульса формируется в течение времени ( интервал fa - Ы, пока ток заряда удерживает транзистор в насыщении. Так происходит обратный бло-кинг-процесс, завершающийся в момент лавинообразным переходом транзистора в режим отсечки. Этот процесс ускоряется эдс взаимоиндукции, полярность которой при уменьшении тока коллектора противоположна полярности при прямом блокинг-процессе. [10]