Cтраница 2
Для зависимости, показанной на рис. 1, наблюдается улучшение структуры при увеличении концентрации SiCU в водороде и соответственно скорости роста. Это особенно заметно для области температур, близких к 850 С, где находится граница между областями роста моно - и поли-кристаллическпх осадков. Если считать основным источником примеси тетрахлорсилан, то увеличение его концентрации в водороде повысило бы количество примесей, поступающих в реакционный объем. Остается предположить, что основным источником их является водород. При увеличении концентрации SiCli скорость роста возрастает, а количество примесей, доставляемых водородом, пе меняется. Это означает, что в подходящем к подложке потоке примесей и SiCU относительная доля примесей уменьшается и вероятность загрязнения растущего слоя снижается. [16]