Полупроводниковый болометр
Cтраница 2
 |
Схема включения болометра. [16] |
Наибольшей чувствительностью обладают полупроводниковые болометры. Полупроводниковые болометры ( тер-мисторы) и болометры на сверхпроводниках имеют нижний предел регистрируемой мощности примерно 10 - 10 вт. [17]
Какие приборы называют полупроводниковыми болометрами. [18]
Кроме металлических болометров существуют полупроводниковые болометры, или термисторы. [19]
 |
Схема вклю - [ IMAGE ] 168. Принципиальная схема. [20] |
Большей интегральной чувствительностью обладают полупроводниковые болометры - термистеры. [21]
Анализ опытных данных по оксидным полупроводниковым болометрам приводит к несколько более высокой величине критического а ( 4 - 5 - 10 - 2 град. [22]
В технике СВЧ преимущественно применяются объемные полупроводниковые болометры. Конструкция и технология изготовления таких болометров несложна. [23]
Прежде чем перейти к описанию полупроводниковых болометров, мы рассмотрим вкратце основные параметры и характеристики, определяющие работу болометров безотносительно к материалу, из которого они изготовлены. Поскольку число существующих типов болометров весьма велико, представляется затруднительным сформулировать универсальные закономерности, в одинаковой мере применимые ко всем типам болометров и всем вариантам конструктивного их осуществления. Поэтому при изложении этого раздела будут иметься в виду главным образом описанные в литературе полупроводниковые болометры, хотя целый ряд сформулированных ниже закономерностей носит общий характер. [24]
Переходим к рассмотрению основных характеристик полупроводниковых болометров. Чувствительность болометров обычно измеряют с применением модуляции лучистого потока и усилителей переменного тока. [25]
 |
Конструкция полупроводникового болометра [ IMAGE ] Схема включения болометра. [26] |
Теоретическое значение порога чувствительности для полупроводниковых болометров составляет 5 - 10 - п Вт. В связи с вышесказанным важной характеристикой болометра является уровень собственных шумов. [27]
Для предохранения от температуры окружающей среды полупроводниковый болометр собирают из двух полупроводниковых элементов. Один активный, подверженный облучению, другой пассивный, закрытый светонепроницаемым экраном. Оба элемента идентичны по параметрам и включаются как плечи мостовой схемы. Такие болометры имеют три вывода. Один вывод общий для активного и компенсационного элементов. [28]
 |
Конструкция полупроводникового болометра.| Схема включения болометра. [29] |
Для компенсации изменений температуры окружающей среды полупроводниковый болометр собирают из двух полупроводниковых элементов. Один активный, подверженный облучению, другой пассивный, закрытый светонепроницаемым экраном. Оба элемента идентичны по параметрам и включаются как плечи мостовой схемы. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5