Cтраница 1
Коэффициент Пельтье л определяется по количеству тепла, поглощенного или выделенного в спае при протекании через спай количества электричества, равного единице. [1]
Эффект следующим образом. Пельтье на границе пАВ t Ta. [2] |
Коэффициент Пельтье П может быть выражен через микроскопические параметры вещества ( эффективную массу, время релаксации и др.) на основе первого соотношения Томсона и выражений для а-приведенных в § 1 этой главы. [3]
Схема цепи для демонстрации эф. [4] |
Коэффициент Пельтье я имеет размерность [ в ] и его произведение на ток в цепи определяет тепловую мощность, выделяемую или поглощаемую в местах контактов. [5]
Коэффициент Пельтье П Ав зависит от природы соприкасающихся металлов. [6]
Коэффициент Пельтье - характеристика пары полупроводников ( или проводников), определяющая количество теплоты Qn, выделяемой или поглощаемой на их контакте за счет Пельтье эффекта: Qn Ш /, где П - коэффициент Пельтье; / - ток; i - время. [7]
Выразить коэффициенты Пельтье, Томсона и термоэлектродвижущей силы через поток энтропии, вызванный движением заряженных частиц. [8]
Схема, позволяющая наблюдать явления Зеебека и Пельтье. [9] |
Различают абсолютные коэффициенты Пельтье П, и Пе. Постоянство температуры следует обеспечивать при постоянном отношении плотностей электрического тока и теплового потока, что связано с дополнительными экспериментальными трудностями. Измерение коэффициента Пе предпочтительнее, чем измерение термоэлектрической способности S, так как величина Пе стремится к постоянному значению по мере приближения температуры к абсолютному нулю, тогда как величина S при тех же условиях стремится к нулю. Кроме того, по чисто практическим причинам измерение коэффициента Пе при низких температурах оказывается более точным. [10]
Охлаждение и нагрев спаев полупроводниковых термоэлементов при прохождении тока и энергетическая диаграмма, поясняющая эти явления. [11] |
Величина коэффициента Пельтье зависит от природы материалов ветвей термоэлемента. Если направление тока в цепи термоэлементов такое, как показано на рис. 10.4, то на спае 1 свободные электроны и дырки, возникшие в результате тепловой генерации, двигаются под действием электрического поля в противоположные стороны. При тепловой генерации носителей на переброс электрона из заполненной зоны в свободную была затрачена некоторая тепловая энергия кристаллической решетки полупроводника. [12]
Охлаждение и нагрев спаев пол у проводниковых термоэлементов при прохождении тока и энергетическая диаграмма, поясняющая эти явления. [13] |
Величина коэффициента Пельтье зависит от электрофизических свойств материалов ветвей термоэлемента. [14]
Эффект Пельтье на контакте металла с полупроводником. [15] |