Cтраница 1
Первая экспонента Н е выделяется продолжением прямого участка характеристики до пересечения с осью ординат. [1]
Эквивалентная схема, моделирующая распределение плотности дырок р ( х, t, находящихся в базе п-р - п транзистора. [2] |
Первая экспонента Е правой части полученной формулы отражает отставание по фазе, вторая экспонента соответствует дополнительному затуханию по амплитуде. [3]
Первая экспонента учитывает потери энергии при деформации материала, которые рассеиваются в виде тепла, вторая экспонента - рассеивание энергии из-за поликристаллической структуры материала. Второй член в формуле (2.24) близок к единице и им обычно пренебрегают. [4]
Первая экспонента соответствует стали, нагретой выше точки магнитных превращений. На рис. 1 - 5 она продолжена штриховой линией. Вторая экспонента соответствует стали, обладающей магнитными свойствами. [6]
Первая экспонента ( е0 - E) / kT - ЯУАГ появляется в результате того, что при кинетическом рассмотрении первый строительный элемент предполагался заданным. [7]
Отсюда видно, что в формуле (2.23) первая экспонента обращается в нуль при 0 - 0, а вторая экспонента - в бесконечность. [8]
Так как Гг - рЛ4, то при большем значении ( г первая экспонента выражения ( 15) дает более резкую зависимость DA T энергии электронов. Кривые эффективного выхода в этом случае имеют несимметричную форму с вертикальным началом образования ионов. [9]
Вследствие этого напряжение на емкостном элементе ис постепенно убывает, оставаясь всегда положительным, так как его первая экспонента положительна и больше второй отрицательной экспоненты. [10]
Здесь вторая экспонента определяется фазовым углом ( Дфсов) для совершенного кристалла при данном отклонении от вульф-брэгговского положения ( s); первая экспонента определяется дополнительным фазовым углом 6Ф, который и создает контраст. [11]
С I P2 1 - Это значит, что все вычисленные выше еличины состоят из алгебраической суммы двух экспонент, имеющих азные знаки, причем первая экспонента затухает медленней, чем торая. Ток i цепи и напряжение а ri на сопротивлении, начинаясь е нуля, всегда отрицательны, что соответствует току разряда. [12]
Действительно, одинаковым AT соответствуют одинаковые значения второй экспоненты уравнения ( 10) ( с точностью до сомножителя Т Л / Т), но если при этом же AT температура кристаллизации Т выше, то первая экспонента в ( 10), характеризующая подвижность полимера, больше, и общая скорость кристаллизации выше. Именно благодаря этому эффекту скорость кристаллизации растянутых резин вблизи их температуры плавления гораздо выше, чем для нерастянутых вблизи Тпл - Поэтому часть кристаллизации при высоких растяжениях происходит в условиях, близких к равновесным. [13]
Характер изменения напряжения U2, описываемого уравнением ( 7 - 1. [14] |
Форма - волны напряжения и2, описываемая уравнением ( 7 - 1), графически может быть представлена разностью экспонент с постоянными времени T. Первая экспонента с постоянной времени 7 спадает медленнее второй экспоненты с постоянной времени Т2 и напряжение и %, быстро пройдя через максимум, медленно затем снижается до нуля. [15]