Cтраница 1
Перегрев приборов является одной из главных причин отказов. Для повышения надежности приборов их нагрев должен быть как можно меньше. Снижение температуры даже на несколько градусов может иметь решающее влияние на надежность. Всегда желательно, чтобы прибор работал в режиме, создающем меньший нагрев. Важно обеспечить хороший отвод теплоты. Наружную поверхность такого радиатора следует зачернить для лучшего излучения. Конечно, надо уменьшить нагрев и от внешних источников, например от других деталей и от солнечных лучей. Следует иметь в виду, что большие дозы ионизирующего излучения могут повлиять на нормальную работу ламп. Надежность контактов в ламповой панели снижается в тропических условиях под влиянием плесени и высокой влажности. [1]
При перегреве приборов верхних этажей и недогреве нижних в однотрубных системах с замыкающими участками проводят следующие мероприятия: устанавливают дроссельные шайбы перед приборами верхних этажей; уменьшают поверхность нагрева приборов; увеличивают диаметры замыкающих участков у верхних приборов; демонтируют замыкающие участки у приборов нижних этажей ( 1 - 2 - й этаж) и при необходимости увеличивают диаметры подводок. [2]
Планы второго и третьего этажей жилого дома. [3] |
Поэтому, чтобы избежать перегрева приборов верхних этажей, принимаем вертикальную однотрубную схему сети с замыкающими участками и регулировочными кранами у каждого прибора. [4]
Схема установки дроссельных шайб в двухтрубной системе отопления. [5] |
При равномерном недогреве отопительных приборов верхних этажей и одновременном перегреве приборов нижних этажей уменьшают коэффициент смешения элеватора путем прикрытия задвижки после элеватора. При недогреве отопительных приборов верхних этажей на отдельных стояках устанавливают дроссельные шайбы на замыкающих участках этих приборов. [6]
Такая регулировка температур помещений, кроме того, не исключает периодического перегрева приборов и приводит к перерасходу топлива. Перерасход топлива в этих системах вызывается также поступлением пара в конденсатопроводы. [7]
Как отмечалось, существенным недостатком любой двухтрубной системы отопления является некоторый перегрев приборов в верхних этажах здания вследствие возникновения дополнительного гравитационного давления от охлаждения воды, циркулирующей через эти приборы. Неравномерность прогрева приборов возрастает с увеличением числа этажей здания. В многоэтажных зданиях давление, создаваемое высоко расположенными приборами, получается настолько значительным, что даже первичная регулировка кранами не всегда достигает цели, и приборы верхних этажей резко перегреваются за счет плохого прогрева нижних приборов. [8]
Из приведенного примера видно, что при перевернутой церкуляции недогрева приборов нижних этажей и перегрева приборов верхних этажей не может происходить. Как показывает практика, прогрев всех приборов получается значительно более равномерный, чем при нормальной циркуляции. [9]
При увеличении тока потребления вольтметров и несоответствии размеров корпуса прибора обмоткам катушки и добавочного сопротивления происходит перегрев прибора. Изоляция у таких приборов разрушается, появляются витковые замыкания. [10]
Схема двухтрубной системы водяного отопления с верх - НРЙ разводкой. [11] |
Поэтому количество воды, циркулирующей через приборы верхнего этажа, больше, а в приборах нижнего этажа - меньше расчетного, что вызывает перегрев приборов верхнего и недогрев приборов нижнего этажа. В этом отношении система с нижней разводкой предпочтительнее, так как большая протяженность циркуляционных колец приборов верхних этажей по сравнению с нижними этажами позволяет погашать избыточное давление у приборов верхних этажей и увязывать располагаемое давление в системе по вертикали. [12]
Зависимость времени выключения / в ( кривая / и допустимой амплитуды анодного тока / а. доп ( кривая 2 от / у. [13] |
Этот результат аналогичен полученному для обычных тиристоров [27] и объясняется ухудшением стойкости приборов к быстрому нарастанию напряжения dU / dt и понижением напряжения переключения из-за перегрева прибора протекающим током. [14]
В АХ полупроводниковых диодов. [15] |