Cтраница 1
Передвижение электронов вверх соответствует возрастанию их энергии под действием электрического поля. Маленькие отверстия обозначают малые потери энергии g в результате столкновений, происходящих с частотой vm, и связаны отводами с точками, лежащими немного ниже дырок. Расположенные выше отверстия больших размеров соответствуют процессам возбуждения ( VK) и ионизации ( vt) и связаны отводами с точками, лежащими в нижней части рисунка. Уравнение (4.39) отражает тот факт, что в стационарном состоянии в каждом данном интервале скоростей число электронов, движущихся вверх ( на рис. 4.1), равно числу электронов, отводимых вниз. [1]
Передвижение электрона по решетке обусловливает проводимость твердого тела. В полупроводниках электрон перескакивает из валентной зоны или с энергетического уровня примеси, введенной в полупроводник, в зону проводимости. Создание разнообразных дефектов в решетке способствует образованию не одиночных энергетических уровней, а узких зон, в которых транспортирование электрода облегчено. [2]
Передвижению электронов, тем меньше будет электрический ток, проходящий по проводнику. Влияние проводника на силу тока характеризуется электрическим сопротивлением, зависящим от материала и размеров проводника. [3]
При химических реакциях передвижение электронов в рядах системы элементов идет в направлении от первой группы к седьмой. [4]
При химических реакциях передвижение электронов в рядах системы элементов идет в направлении от первой группы к седьмой. Что касается элементов одной и той же группы, то в первых главных подгруппах их электроны передвигаются по направлению уменьшения атомного веса; во-вторых ( побочных. [5]
Поляризация ионов при передвижении электронов в полосе проводимости может влиять на скорость передвижения электрона по полосе проводимости, по длительное послесвечение возникает лишь вследствие локализации электронов на относительно глубоких уровнях, образованных атомами активатора и расположенных вблизи атомов активатора. Вблизи каждого атома активатора возможны различные положения локализованного электрона, однако во всяком случае около одного атома активатора может локализоваться не более одного электрона. [6]
Второй путь предусматривает увеличение быстроты передвижения электронов по электронотранспортной цепи митохондрий. При этом соответствующим образом в единицу времени увеличивается и количество образовавшегося АТФ. Возрастание скорости окисления может быть следствием достаточного количества АДФ в тканях, который перестает ограничивать скорость фосфорнлирования. [7]
Кристаллизации предшествуют диффузия ионов водорода и передвижение электронов от поверхности к центру частицы двуокиси марганца, так как эти процессы приводят к уменьшению концентрации неполного гидрата окиси трехвалентного марганца в поверхностном слое. Электроны и диффундирующие ионы водорода способствуют восстановлению некоторых атомов четырехвалентного марганца двуокиси марганца в глубине частицы, увеличивая число у в формуле для фазы переменного состава. Диффузия ионов водорода к центру частицы двуокиси марганца приводит к образованию неполного гидрата закиси марганца в центре частицы в виде твердого раствора. [8]
Движение дырки в действительности представляет собой передвижение электронов в заполненной зоне под действием электрического поля. [9]
Между тем именно положительный заряд азота способствовал передвижению электронов по кольцу в направлении азота атома, где они и останавливались. Отсутствие такого заряда у углерода в молекуле бензола делает восстановление весьма мало вероятным. [10]
На поверхности такой пластинки энергия светового потока усиливает передвижение электронов, в результате чего между тонкой пленкой платины и металлической пластинкой возникает разность потенциалов, которая при замыкании цепи дает электрический ток, улавливаемый при помощи включенного в цепь гальванометра. Сила тока зависит от количества световой энергии, попадающей на поверхность пластинки. [11]
Но в электролитах ток проходит не за счет передвижения электронов, а за счет движения ионов и протекания окислительно-восстановительной реакции на электродах. [12]
Схемы, подобные I и II, с гетеролитическим передвижением электронов принимаются по аналогии с нециклическими, сходными по характеру процессами. Например, реакция Кольбе и, очевидно, аналогичная ей аномальная реакция хлористого бензилмагния с формальдегидом ( стр. [13]
Ток проводимости в покрытии оксидного катода в преобладающей части обусловливается передвижением электронов, но некоторая часть тока проводимости ( 0 1 - 0 01 %) состоит из ионной проводимости. Она связана с передвижением отрицательных ионов кислорода к поверхности. [14]
Следовательно, частичный уход электронов из заполненной зоны создает условия для передвижения электронов, оставшихся в этой зоне, с более низких уровней на более высокие, в пределах самой зоны. К чему приводит возможность перемещения электронов в заполненной зоне. Отвечая на этот вопрос, академик А. Ф. Иоффе говорит: Если из заполненной зоны ушло какое-то число электронов, тогда уже эта зона заполнена не сплошь; в ней остается некоторое количество свободных мест, пустых уровней. Теперь для оставшихся там электронов полного запрета изменять свое движение нет, появляется какая-то возможность их перемещения. [15]