Большинство - параметр - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Жизнь похожа на собачью упряжку. Если вы не вожак, картина никогда не меняется. Законы Мерфи (еще...)

Большинство - параметр

Cтраница 2


Большинство пожаровзрьшоопасных параметров получено отраслевыми лабораториями техники безопасности всесоюзных объединений химической промышленности согласно Методическим указаниям по экспериментальным и расчетным методам определения взрыво - и пожароопасных характеристик газо -, паро-и пылевоздушных смесей при нормальных условиях ( ВНИИТБХП, Северодонецк, 1977), по методикам, разработанным ВНИИПО и ВНИИТБХП, и ГОСТам. Часть параметров определена расчетным путем.  [16]

Большинство параметров двигателя и диагностических сигналов регистрирует бортовой магнитный самописец. Используется он и для фиксации работы других систем самолета. На земле зарегистрированная магнитной лентой информация будет обработана приборами с гораздо большими вычислительными возможностями.  [17]

Большинство параметров машин обычно подчиняется нормальному закону распределения. Это позволяет заменить равномерную шкалу неравномерной и расставить на этой шкале отметки таким образом, чтобы минимизировать математическое ожидание ошибки.  [18]

Большинство параметров газа, входящих в расчетные формулы, ионользуемых пр: проектировании разработки месторождений углеводородов, как правило, определяютс экспериментально, результаты представляются графически. Однако для прогнозных рас четов более удобными являются не графические зависимости параметров газа от составе давления и температуры, а аналитические зависимости. Поэтому практтгчески любой IE раметр газа, кроме графических зависимостей, представляется в аналитической форм т.е. в виде формул, описывающих графические зависимости.  [19]

Большинство параметров полупроводниковых приборов изменяется в зависимости от режима работы и температуры, например потери преобразования и коэффициент шума СВЧ диодов зависят от уровня подводимой мощности, значительно изменяется в диапазоне температуры обратный ток диодов.  [20]

21 Эмпирические функции распре - [ IMAGE ] 14. Гистограмма деления Р распределения у. [21]

Большинство параметров полупроводниковых приборов чувствительно к изменению окружающих условий.  [22]

Большинство параметров биполярного фототранзистора аналогично по физическому смыслу параметрам фотодиодов. Кроме того, фототранзистор характеризуется рабочим напряжением питания, емкостями переходов Ск и Сэ, статическим коэффициентом усиления по току и другими параметрами обычного транзистора.  [23]

Большинство параметров полупроводниковых приборов значительно изменяется в зависимости от режима работы и температуры. Например, время восстановления обратного сопротивления импульсных диодов зависит от значения прямого тока, напряжения переключения и сопротивления нагрузки; потери преобразования и коэффициент шума СВЧ диодов зависят от уровня подводимой мощности. Значительно изменяется в диапазоне температуры, указанном в технических условиях, обратный ток диода. В справочнике приводятся значения параметров, гарантируемых ТУ для соответствующих оптимальных или предельных режимов использования.  [24]

Большинство параметров режима сварки характеризуется кратковременностью действия, а сварочный ток - несинусоидальной формой, поэтому измерение и контроль параметров часто не могут быть выполнены стандартной аппаратурой. Для этой цели разработаны и применяются специальные приборы.  [25]

Большинство параметров финишных операций непосредственно определяет надежность технологического процесса, так как именно здесь происходит окончательное формирование показателей качества изделий.  [26]

27 Средние разрушающие усилия.| Пружинные динамометры для измерения усилия. [27]

Большинство параметров режима сварки характеризуются кратковременностью действия, а амплитуда тока несинусоидальной формой. Поэтому измерение и контроль параметров в большинстве случаев не могут быть выполнены стандартной, аппаратурой. Для этой цели разработаны и применяются специальные приборы.  [28]

Большинство параметров регулирования процесса стабилизируется простыми типовыми схемами.  [29]

Большинство параметров полупроводниковых приборов изменяется в зависимости от режима работы и температуры, например, время обратного восстановления выпрямительных диодов зависит от значения прямого тока, наряжения и сопротивления нагрузки, значительно изменяется в диапазоне температур.  [30]



Страницы:      1    2    3    4