Большинство - переход
Cтраница 1
Большинство переходов, отнесенных до сих пор к этому типу, имеет / - 0 1 с емакс - 101, а поэтому их можно считать полностью электроннораз-решенными, но не исключено, что некоторые из них в действительности являются электроннозапрещенными, но расположенными не очень далеко от других очень интенсивных разрешенных переходов. [1]
Большинство р-п переходов создают методом диффузии легирующей примеси в полупроводник. Допустим, что в поверхность полупроводникового кристалла n - типа электропроводимости с концентрацией доноров ND проведена диффузия акцепторной примеси, концентрация которой NA ( x) уменьшается по мере удаления от поверхности полупроводника, как показано на рис. 1.14, а. Если поверхностная концентрация акцепторов NAOND, то в некотором сечении Xj кривые пересекаются. Левее этого сечения концентрация акцепторов превышает концентрацию доноров, и полупроводник имеет электропроводность / 7-типа, а правее Xj - электропроводность п-типа. В сечении Xi электроны атомов донорной примеси заполняют ( компенсируют) ненасыщенные связи равного числа атомов акцепторной примеси, и полупроводник имеет собственную проводимость. Таким образом получается р-п переход с плавным распределением примеси, или плавный р-п переход. Следует отметить, что отрицательные значения концентрации примеси лишены физического смысла ( концентрация - это число частиц, атомов в единице объема), но можно условиться отличать концентрацию акцепторов от доноров по знаку заряда их ионов. [2]
В отличие от ридберговских переходов для большинства субридбергов-ских переходов интенсивность должна стремиться к нулю по мере увеличения расстояния между атомами, составляющими молекулу. Следовательно, можно ожидать, что субридберговские переходы должны быть, вообще говоря, совсем слабыми. Тем не менее Малликен [894, 895] впервые показал, что существуют исключения из этого правила, когда следует ожидать большую интенсивность для переходов типа V - N, иногда такую же большую, как и для ридберговских переходов. Такое положение связано со следующим. [3]
Коэффициент изменения числа оборотов в минуту р ( графа 10) для большинства переходов равен единице. [4]
На нем мы сконцентрируем свое внимание, поскольку следует ожидать, что большинство переходов в спектре будет происходить в тот момент, когда ядра находятся в-данном положении. [5]
На нем мы сконцентрируем свое внимание, поскольку следует ожидать, что большинство переходов к спектре будет происходить в тот момент, когда ядра находятся в-данном положении. [6]
Если же излучающий переход происходит по правилу отбора Д / 0 ( например, большинство переходов Н2О - лазера), то поляризация излучения будет круговой. Авторы работы [20] обнаружили, что даже небольшая поляризационная анизотропия одного из зеркал резонатора ведет к расщеплению циркулярно-поляризованной волны на две ортогонально-поляризованные волны, излучаемые на одной моде с разносом частот, достигающим десятков килогерц. Этот режим генерации впоследствии был с успехом использован авторами работы [20] для построения интерферометров с переносом в радиодиапазон информации об изменении фазы волны, зондирующей плазму. [7]
 |
Схема отчета перемещений рабочих органов станка. [8] |
При автоматической перенастройке вопрос определенности положения исполнительных поверхностей имеет существенное значение, так как большинство переходов в процессе статической настройки вызывает в той или иной степени изменение точности положения исполнительных поверхностей относительно начала отсчета. [9]
 |
Исходные данные для примерного расчета. [10] |
Исходный технологический процесс, составленный по переходам сборки ( без расчленения на операции), характеризуется различием норм времени по большинству переходов. [11]
При ННБ диаметр проходки составляет от 100 до 1500 мм, а длина может достигать 2 км, что является приемлемым для большинства переходов трубопроводов. Длина проходки ограничивается пределом, примерно в 1200 м, из-за низкой удерживающей способности упорных стенок в стартовом котловане и недостаточной мощности гидравлических домкратов. [12]
Обработка валика на токарном станке ( рис. 1, а) ведется последовательно четырьмя резцами, установленными в поворотном резцедержателе суппорта ( рис. Г, б), при этом большинство переходов выполняется вручную, вследствие чего производительность станка невысокая. [13]
Это выражение показывает, что в случае термического возбуждения основными факторами, определяющими интенсивность света излучаемой спектральной линии при постоянной концентрации возбужденных атомов, являются энергия возбужденного уровня и температура источника возбуждения, поскольку величины Атп, v, gm, go одного порядка для большинства переходов. [14]
Первые два члена правой части формулы ( 77) представляют разность энергий, необходимых для образования полости в основном и возбужденном состояниях. Для большинства переходов изменение размеров полости в процессе возбуждения мало и указанными членами можно пренебречь. [15]
Страницы: 1 2 3