Cтраница 2
Предсказание профиля резиста требует моделирования экспозиции и проявления. Для количественного описания распределения энергии в полимерном слое, помещенном на подложку, наиболее часто используется метод Монте-Карло. Он состоит в моделировании траектории электронов в системе резист - подложка на ЭВМ. Взаимодействие электрона со средой представляет собой ряд последовательных отражений, при которых происходит изменение направления движения электрона и потеря им энергии. В большинстве подходов используют модель с одним отражением, направление которого случайно. Угловое распределение рассеянных электронов зависит от потенциала. Чаще всего используют потенциал Томаса - Ферми, рассчитываемый в предположении, что на движущийся электрон действует атомный заряд близлежащего ядра, величина которого корректируется с учетом электронной оболочки атома. Предполагается также, что между двумя упругими столкновениями электрон движется по прямой с длиной, равной среднему свободному пути, и теряет энергию. [16]
SV в исследованиях молекулярных спиновых функций, а в разд. В заключительном разделе этой главы описаны теоретико-групповые аспекты частично-дырочного формализма. Частично-дырочный формализм используется в большинстве подходов к решению корреляционной проблемы, основанных на разложении энергии в ряд с помощью связных диаграмм, которые обсуждались в гл. [17]