Большинство - расчет
Cтраница 3
В большинстве расчетов инверсионного и обогащенного слоев предполагается, что граница раздела полупроводник - диэлектрик является резкой и на ней образуется бесконечный потенциальный барьер, что в результате приводит к отталкиванию электронов в полупроводнике от диэлектрика. Известно, однако, что расстояние между дном зоны проводимости в Si и дном зоны проводимости в SiO2 составляет от 3 1 до 3 2 эВ [1980], что допускает незначительное проникновение волновой функции в диэлектрик. Кроме того, при рассмотрении границы раздела в атомном масштабе понятие резкого барьера становится неприемлемым. Правильный путь решении этой проблемы заключается в рассмотрении точной микроскопической структуры границы раздела без использования приближения эффективной массы. Подобный прямой подход пока невозможен, так как структура границы раздела точно не известна. В любом случае это будет не просто, поскольку о границе раздела между кристаллом ( полупроводник) и аморфным веществом ( диэлектрик) можно говорить только приближенно. [32]
В большинстве расчетов присоединенных трубопроводов на компрессорных станциях требуется знать значение скорости и давления в начале и в конце линии. [33]
В большинстве расчетов тепловой изоляции следует учитывать теплообмен между поверхностью изоляционной конструкции и окружающим воздухом. [34]
В большинстве расчетов тепловой изоляции следует учитывать Теплообмен между поверхностью изоляционной конструкции и окружающим воздухом. [35]
В большинстве расчетов химического оборудования априори предполагается режим полного вытеснения. Однако реальный режим течения потоков точно не соответствует принятым моделям. [36]
Между организациями большинство расчетов производятся безналично. Безналичные расчеты ведутся путем перечисления ( перевода) денежных средств со счета плательщика на счет получателя с помощью различных банковских операций ( кредитных и расчетных), замещающих наличные деньги в обороте. [37]
Для простоты большинство расчетов относится к случаям, когда сами эти профили симметричны и не различаются в функциональном отношении. [38]
Как и большинство расчетов, расчет сопротивления по формулам ( 9 - 26) и ( 9 - 27) не может охватывать все встречающиеся в жизни конструкции. Поэтому более точно эти сопротивления, а также сопротивление пучка дР могут быть измерены. Следует предостеречь от определения этих величин как арифметической разности двух давлений, так как погрешности манометров соизмеримы с искомой величиной. Измерения желательно вести дифференциальным методом. При малых перепадах и давлениях ниже 140 ат можно применять дифманометры со стеклянными трубками; при больших давлениях следует использовать мембранные дифманометры ( ДМ) или дифманометр ДТЭ-250 конструкции ОРГРЭС. [39]
Во-вторых, большинство расчетов не учитывают тот факт, что Казначейство США потеряло миллиарды долларов несобранных налогов в результате кризиса. [40]
Однако для большинства химико-аналитических расчетов это не имеет существенного значения и коэффициенты активности неэлектролитов обычно принимаются равными единице. Для разбавленных растворов это соблюдается вполне строго. [41]
Полученные результаты большинства расчетов доказывают, что требования по выравниванию мощностей выполнимы по всем пунктам. На рис. 231 в качестве примера приведен результат моделирования. [42]
Поэтому в большинстве расчетов в аналитической химии можно не учитывать значение коэффициента активности и пользоваться значением РН независимо от того, основано оно на концентрации или на активности иона водорода. [43]
Аналогично пятилетнему плану большинство расчетов, связанных с разработкой техпромфинплана, также может и должно выполняться с помощью ЭВМ. Для этого на предприятии разрабатываются конкретная методика и алгоритмы расчетов. [44]
В отличие от большинства расчетов, где межфаэная граница рассматривается в области, далекой от точки расслоения, свойства межфазной границы вблизи точки разделения фаз могут быть рассмотрены исходя из представления о том, что природа межфазной области значительно зависит от степени несовместимости. [45]
Страницы: 1 2 3 4