Большинство - фоторезистор
Cтраница 1
Большинство фоторезисторов имеют токопроводящий элемент, заключенный в металлический или пластмассовый корпус с отверстием-окном, закрытым прозрачной пленкой. [1]
 |
Вольт-амперные характеристики фоторезистора.| Зависимость относительного значения фототока фоторезистора от длины волны излучения. [2] |
Вольт-амперные характеристики большинства фоторезисторов линейны ( рис. 4.3), однако в некоторых случаях при повышении напряжения линейность нарушается. [3]
Вольт-амперные характеристики большинства фоторезисторов, как показано на рис. 9, линейны, т.е. фоторезисторы в широ - ком диапазоне изменения напряжении подчиняются закону Ома. [5]
В запрещенной зоне энергетической диаграммы полупроводника может существовать некоторое распределение локальных уровней ловушек, связанное с наличием различных примесей и Дефектов, особенно в поликристаллических полупроводниках, из которых изготавливают большинство фоторезисторов. Часть из этих уровней может быть уровнями ловушек захвата, часть - уровнями рекомбинационных ловушек. Чтобы установить количественный критерий для отличия этих уровней, введены понятия демаркационных уровней, для которых вероятность ионизации равна вероятности захвата носителя заряда противоположного знака. В некоторых случаях при качественном рассмотрении различных зависимостей параметров фоторезисторов можно считать демаркационные уровни совпадающими с квазиуровнями Ферми, которые имеют тот же смысл для полупроводника в неравновесных условиях, что и уровень Ферми в условиях равновесия. [6]
 |
Инерционность фоторезистора при мгновенном включении и выключении светового потока. [7] |
Селенистокадмиевые фоторезисторы имеют максимумы чувствительности в красной и инфракрасной части спектра, сернистосвинцовые в инфракрасной, а сернистокадмиевые в видимой области спектра. Все они имеют достаточно широкий максимум и чувствительность большинства фоторезисторов достаточно высокая в широком диапазоне длин волн, практически от инфракрасной области спектра до рентгеновских лучей. [8]
Спектральные характеристики не-в инфракрасной, а сернисто - которых фоторезисторов кадмиевые в видимой области спектра. Хотя все они имеют достаточно широкий максимум и, следовательно, чувствительность большинства фоторезисторов достаточно высокая в широком диапазоне волн, практически от инфракрасной области спектра до рентгеновских лучей. [9]
Характеристики фоторезисторов ( темновое сопротивление, чувствительность, инерционность) сильно зависят от температуры. Темновое сопротивление и чувствительность с ростом температуры уменьшаются, а постоянная времени т увеличивается. Для большинства фоторезисторов допустимый температурный диапазон составляет от - 60 до 60 С. [10]
Темновой ток является одним из параметров фоторезистора. Иногда более удобно пользоваться понятием темновое сопротивление, которое определяется как сопротивление неосвещенного фоторезистора. Для большинства фоторезисторов указывается нижний предел темнового сопротивления. Обычно величина темно-вого сопротивления находится в пределах от десятков килоом до нескольких мегом. [11]
Темновой ток является одним из параметров фоторезистора. Иногда более удобно пользоваться понятием темновое сопротивление, которое определяется как сопротивление неосвещенного фоторезистора. Для большинства фоторезисторов указывается нижний предел темнового сопротивления. Обычно величина темнового сопротивления находится в пределах от десятков килоом до нескольких мегаом. [12]
Первые две буквы в маркировке обозначают название данного полупроводникового прибора - фоторезистор ( фотосопротивление), третья буква - исходный материал, примененный для изготовления фоторезистора. Цифра в конце маркировки указывает на различие в конструктивном оформлении. Конструкции различных фоторезисторов показаны на рис. 6.2. Большинство фоторезисторов имеет выводы в виде штырьков, позволяющих включать их в ламповую панельку. [13]
Страницы: 1