Большинство - электрон
Cтраница 1
Большинство электронов в полупроводниках жестко связано с атомами, но все же в них есть электроны, которые при некотором внешнем воздействии тепла, света или электрического напряжения высвобождаются из-под власти атомов, причем характерно, что высвобождаются не только носители отрицательного электричества - электроны, но и носители положительного электричества-так называемые дырки. Если к полупроводнику приложено электрическое напряжение, то электроны начинают двигаться к положительному полюсу напряжения, а дырки - к отрицательному. В полупроводнике образуются два тока: электронный и дырочный. [1]
Большинство электронов попадет на уровни прилипания, и лишь часть 6 остается свободной. Предположим также, что электроны захватываются за время, малое по сравнению с их временем жизни. Поток возбужденных электронов мы можем разделить на два потока: меньшая часть направляется в зону проводимости, а большая чясть - на захватывающие центры. Эта картина предполагает, что шумовые свойства в этом случае можно рассматривать так же, как шум потока электронов, делящегося между двумя близко расположенными. [2]
Большинство электронов проводимости, если ( n Wo) 1 1, не являются свободными, даже если их энергия положительна. Они постоянно находятся в поле рассеивателей. [3]
Большинству электронов ( энергия которых не превышает Wt) надо от постороннего источника сообщить добавочное количество энергии, большее или равное еср0, чтобы они могли вылететь из металла. [4]
Переход большинства электронов во флуктуонные состояния может происходить в узком интервале темп-р и проявляться в виде размытого электронного фазового перехода. [5]
У диэлектриков большинство электронов жестко привязано к атомам и очень мало свободных носителей заряда. Поэтому, хотя подвижность этих носителей заряда не сильно отличается от подвижности свободных электронов в металлах, удельная проводимость диэлектриков очень мала. Концентрация носителей в полупроводниках изменяется в широких пределах от 1019 до 1025 м - 3, а подвижности заключены примерно от 10 до 10 - 4 м2 / ( В-с), т е велики. Благодаря таким широким пределам изменения концентрации носителей и их подвиж-ностей удельная проводимость полупроводников изменяется в широких пределах, на много порядков величин. [6]
 |
Устройство источника рентгеновского излучения. [7] |
Во-первых, большинство электронов теряют свою энергию Б результате многочисленных упругих соударений с электронами и атомами антикатода, вызывая при этом нагрев антикатода. [8]
 |
Происхождение хроматических аберраций. [9] |
Предположим далее, что большинство электронов имеют начальную энергию, не большую некоторого значения ей. Соответствующую этому значению энергии величину Az обозначим Др. [10]
 |
Структура ди - [ IMAGE ] Схематическое изображение генератора ода Ганна. Ганна. [11] |
При дальнейшем росте приложенного напряжения большинство электронов переходит в верхнюю зону и их подвижность, а следовательно, и ток через кристалл начинает вновь возрастать. Участок с отрицательным динамическим сопротивлением может появиться только при динамических режимах в СВЧ диапазоне. [12]
 |
Спектр поглощения е. г - ном стекле ( 6ЛГ NaOH. [13] |
По-видимому, в обоих случаях большинство электронов, ставших таким путем подвижными, возвращается в то место, в котором они первоначально были образованы. На это указывают кинетика процесса обесцвечивания и отсутствие водорода в конечных продуктах при нагревании. Если, однако, в системе присутствует растворенное вещество в значительной концентрации, электрон может реагировать с ним. [14]
Напряженность магнитного поля подбирается так, чтобы большинство электронов двигалось по траекториям, почти касающимся анода. [15]
Страницы: 1 2 3 4