Подавляющее большинство - кристалл
Cтраница 1
 |
Микрорентгенограмма SiC с дислокациями, параллельными базисной плоскости ( X 35. [1] |
Подавляющее большинство кристаллов из производственных печей дает снимки, на которых нет отдельных линейных дефектов. Съемка двух десятков контейнерных кристаллов показала, что они дают различные типы снимков. [2]
В подавляющем большинстве кристаллов атомы настолько массивны и взаимодействуют настолько сильно, что амплитуда их нулевых колебаний оказывается значительно меньше межатомного расстояния. В таких кристаллах весьма хорошим приближением является обычная классическая модель, согласно которой атомы локализованы в узлах или междоузлиях кристаллической решетки. [3]
Появление нового комплекса свойств у молекул и подавляющего большинства кристаллов по сравнению с исходными атомами обусловлено возникновением химических связей в процессе агрегации. Основополагающей идеей, проходящей красной нитью через всю современную химию, является тезис о том, что все свойства веществ обусловлены их химическим и кристаллохимическим строением. А химическое и кристаллохимическое строение вещества определяется в первую очередь природой химических связей взаимодействующих атомов. С этой точки зрения переход от изолированных атомов к молекулам и кристаллам, сопровождающийся перераспределением электронной плотности и возникновением химических связей, представляет собой процесс химический. [4]
При температурах, низких по сравнению с Тал, в подавляющем большинстве кристаллов отношение теплового смещения атомов к периоду решетки очень мало. [5]
Ионная решетка образована разноименно заряженными ионами, удерживающимися в узлах решетки электрическими силами. Ионную решетку имеет подавляющее большинство кристаллов. [6]
А наблюдаются в подавляющем большинстве кристаллов с водородной связью. Авторы приходят к выводу, что изогнутые водородные связи являются результатом того, что молекула воды не может быть расположена в кристалле так, чтобы одновременно обеспечить максимальное перекрытие всех своих орбиталей с электронными орбитами атомов решетки. Хотя абсолютные значения углов искривления связей таким путем установить пока и нельзя, тем не менее их относительная характеристика во многих случаях может оказаться полезной. [7]
Теоретические исследования, проведенные в 1948 г. академиком АН УССР А. С. Давыдовым, показали, что подобное сопоставление возможно только в простейших кристаллах, где все молекулы имеют одинаковую ориентацию. В состав элементарных ячеек подавляющего большинства кристаллов входит не одна, а несколько различно ориентированных молекул. При поглощении света молекулы кристалла переходят в возбужденные состояния, и между ними возникают новые резонансные взаимодействия, связанные с переходом возбуждения от одной молекулы к другой. [8]
В структуре вюрт-цита атомов также больше, чем узлов примитивной гексагональной решетки. Здесь, как и для подавляющего большинства кристаллов, эти понятия не совпадают. Нужно всегда помнить, что решетка кристалла есть такая же математическая абстракция, как, например, элемент симметрии. Термин же структура подразумевает знание внутреннего строения кристалла: его химического состава, взаимного расположения атомов, точечных групп симметрии тех частиц, которые не лежат в узлах решетки, и еще ряда характеристик. [9]
Этот подход имеет преимущества перед обычным методом сальной связи, в котором используются атомные потенциалы свободных атомов или ионов. Предварительное построение атомных потенциалов необходимо, так как в подавляющем большинстве кристаллов происходит существенное перераспределение электронной плотности. [10]
Если кристалл извлекается при температуре раствора, близкой к комнатной, то он просто осушивается фильтровальной бумагой. При этом не следует тереть бумагой поверхность, так как подавляющее большинство кристаллов, полученных из низкотемпературных растворов, легко царапаются ею. На поверхности возникает множество дефектов. Разумеется, если кристалл подлежит распиловке и его поверхность не представляет интереса, это не имеет значения. [11]
 |
Зависимость дифракционной эффективности модулятора ПРИЗ с ЭОП от пространственной частоты. [12] |
Анализ показывает, что такая чувствительность близка к теоретическому пределу для ПВМС, в которых для модуляции считывающего света используется электрооптический эффект в кристаллах. Предельная чувствительность таких модуляторов, оцениваемая для пространственных частот, соответствующих разрешающей способности ПВМС, зависит только от произведения диэлектрической проницаемости электрооптического кристалла на его полуволновое напряжение. Хотя каждый из этих параметров в отдельности может значительно изменяться от кристалла к кристаллу, их произведение для подавляющего большинства кристаллов остается в пределах порядка величины. В такой ситуации решением проблемы увеличения чувствительности электрооптических ПВМС может быть применение усилителя яркости записываемых изображений. [13]
Страницы: 1