Передняя
Cтраница 5
 |
Схема инжекционного полупроводникового лазера. [61] |
Передняя и задняя грани, являющиеся зеркалами, обычно получаются путем скалывания кристалла относительно определенной кристаллографической оси. Боковые грани скошены, чтобы препятствовать возникновению колебаний в перпендикулярном направлении. Электрическое поле прикладывается в направлении, перпендикулярном к р - n - переходу, при помощи специальных контактов, соединенных с массивными теплоотводя-щими пластинами. Пороговая плотность тока лазера в зависимости от технологии и рабочей температуры кристалла колеблется в широких пределах; обычно она составляет при 77 К примерно 10 - Ю3 А-см - 2, снижаясь до 3 - Ю2 А-см 2 при температуре жидкого гелия 4 2 К. [62]
Страницы: 1 2 3 4 5