Cтраница 3
![]() |
Принципиальная схема мощного выходного эмиттерного повторителя. [31] |
Повторители этого типа независимо от полярности выходного напряжения обеспечивают быстрый перезаряд емкости нагрузки leoes малые выходные сопротивления. Включение в коллекторы резисторов Кы и RI & гарантирует защиту транзисторов каскада от токов перегрузок и коротких замыканий. [32]
При работе в каскаде инерционность транзистора увеличивается за счет перезаряда емкости Ск через нагрузку. [33]
Выработка линейно изменяющегося напряжения меньшей длительности связана с повышением скоростей перезаряда задающей емкости С. [34]
Из сказанного ясно, что относительная роль обоих факторов - перезаряда емкости затвора и перезаряда емкостей между электродами - заключается в их влиянии на инерционность транзистора и во многом зависит от схемы. Поэтому точная оценка быстродействия возможна только в реальной схеме устройства с использованием динамической малосигнальной модели МДП-транзистора. [35]
Резонансный процесс, происходящий в данном интервале и связанный с перезарядом емкостей СТ1 и СТ2 под действием тока, проходящего в индуктивности Ls, аналогичен резонансным процессам в несимметричных и рассмотренных ранее схемах. [36]
![]() |
Переходные процессы в диоде при низком уровне ишкекцин. [37] |
Переходные процессы при подключении к диоду генератора напряжения также объясняются перезарядом емкости Сбар. По мере заряда емкости Сбар растет напряжение на переходе и ток гд убывает по экспоненциальному закону, стремясь к некоторому стационарному значению. [38]
В этот момент изменяется полярность напряжения и источника и начинается процесс перезаряда емкости при противоположном ( отрицательном) направлении тока i. При со / 270 заряд прекращается, ток / становится равным нулю и начинается разряд при первоначальном ( положительном) направлении тока. [39]
В противном случае запаса энергии в индуктивности Ls будет недостаточно для полного перезаряда емкостей транзисторов и после угла ca0t я / 2 напряжение на емкости СТ1, не достигнув нуля, начнет снова возрастать. [40]
Уменьшению искажений способствует также низкое выходное сопротивление повторителя напряжения, что ускоряет перезаряд емкости Сн вых - Уменьшение входной емкости тоже приводит к снижению уровня искажений в области малых времен. [41]
![]() |
Вольтамперная характеристика обращенного диода. [42] |
Инерционность обращенного диода, так же как и туннельного, определяется временем перезаряда емкости р-п перехода. Время переключения диода обычно не превышает 1 нсек. [43]
Если сопротивление нагрузки мало, то составляющими тока базы, связанными с перезарядом емкостей Ск и Сэ, практически можно пренебречь. [44]
![]() |
Схемы на КМОП-транзисторах. [45] |