Cтраница 4
![]() |
Структурная схема цифровой сиск контроля. [46] |
Физические величины - температура, расход, давление и др., являющиеся объектом контроля в данной системе, сначала преобразуются с помощью датчиков в пневматические или электрические сигналы. Если в систему контроля входит большое число датчиков, то целесообразно использовать мультиплексор - быстродействующий переключатель точек измерения для обслуживания одним АЦП целой группы датчиков. АЦП подключается непосредственно к внутренней шине УВМ и становится ее структурным дополнением. [47]
![]() |
Схема установки для получения сверхкоротких импульсов. [48] |
Ячейка с органическим красителем изменяет добротность резонатора и действует как затвор пассивного типа. Электрооптический модулятор заполнен прозрачным материалом, который, находясь в электрооптическом поле, выполняет функции быстродействующего переключателя светового потока. В начальный момент электрооптический модулятор находится в невозбужденном состоянии, а поляризатор устанавливается на максимальное пропускание. [49]
В электрически сканируемых антенных системах, радиолокации, технике измерений слабых СВЧ сигналов для плоских прямоугольных ( а также щелевых) волноводных каналов могут найти применение быстродействующие переключатели СВЧ энергии ( рнс. [50]
Метод ступенчатого изменения напряжения на ячейке применим для изучения быстрых электродных реакций, если сопротивление ячейки мало, например в расплавах солей или в тонкослойных ячейках ( описанных в разд. Экспериментальная установка не обязательно должна содержать потенциостат; вместо этого к ячейке можно приложить ступеньку напряжения непосредственно от низко-импедансного генератора импульсов или даже от низкоимпедансного потенциометра и быстродействующего переключателя типа ртутного контакта или реле высокого давления. [51]
Благодаря прозрачности в длинноволновой области спектра ХСП применяются в онтнч. Сочетание высокого сопротивления и большой фотопроводимости используется в электрофотографии, телевизионных передающих трубках типа видикон и для изготовления фототермопластич. Эффекты переключения и памяти позволяют получить быстродействующие переключатели и матрицы памяти. [53]
В некоторых управляющих органах в качестве привода используется шаговый двигатель. Для управления этим устройством требуется не аналоговое напряжение, а последовательность электрических импульсов. Импульсный выход АСУ ТП электрически управляет быстродействующими переключателями, которые обычно могут коммутировать внешние источники с напряжением до 120В при длительности импульсов от 3 до 10 мс. Для получения желательного управляющего воздействия программа АСУ должна определить, какое число импульсов требуется для осуществления нужного перемещения. [54]
Их слабая проводимость ( в 10й - 1013 раз меньше, чем у ферромагнитных металлов) обеспечивает относительно малые потери и затухание электромагнитных волн, позволяя в наиболее чистом виде реализовать взаимодействие электромагнитных колебаний с ферромагнитной средой. С этим связано широкое использование многочисленных ферритовых устройств в технике сверхвысоких частот и в счетно-решающих устройствах. Использование ферритов позволяет создать такие элементы электрической цепи, которые отличаются необратимостью ( не удовлетворяют принципу взаимности) и высокой скоростью управления режимом цепи: быстродействующие переключатели, циркуляторы, модуляторы, перестраиваемые по частоте фильтры, ослабители, смесители, генераторы, преобразователи частоты, / параметрические усилители и пр. По этой причине свойства гиро - тропных сред в дальнейшем целесообразно излагать применительно к ферритам. [55]
![]() |
Радиолокатор, обеспечивающий подавление отражений от неподвижных предметов. [56] |
В качестве нового средства повышения отношения сигнал / шум в радиолокаторе применяется разнос по частоте [176, 403], в результате чего происходит заполнение нулей диаграммы направленности антенны и диаграммы рассеяния цели. Например, три комплекта передатчиков-приемников с несколько отличающимися частотами работают на общую антенну и общий видеотракт. Такое оборудование [203] на частоте 3 Ггц имеет разнос частот в 10 Мгц; его нормальный цикл состоит из импульсов длительностью 2 мксек, излучаемых передатчиками Л, В и С через интервалы в 1 мксек. Отраженные сигналы с помощью быстродействующих переключателей направляются в соответствующий приемник, преобразуются в видеосигналы, которые затем комбинируются так, чтобы исключить начальную разницу по времени при передаче. [57]
В схеме постоянного возбуждения излучателя ( рис. 5 - 15, б) рабочая точка транзистора фиксируется на пологом участке ВАХ транзистора и однозначно определяет ток, протекающий через светодиод. Если входной потенциал фиксирован на положительном уровне 0 5 - 1 В, ток / а отбирается из эмиттерной цепи открытого транзистора Т1, а токи Т2 и светодиода незначительны. Переключение тока Iъ от Т1 и Т2 достигается снижением входного потенциала до отрицательного уровня - ( 0 5 - 1) В. Тем самым фиксируется и световой поток светодиода вне зависимости от разброса параметров транзисторов. В качестве мощных быстродействующих переключателей светодиодов успешно применяются весьма несложные каскады с отрицательным электрическим сопротивлением, построенные на однопереходных или лавинных транзисторах и на туннельных диодах. [58]
Туннельный переход в том случае был нежелателен, так как он ограничивал полезный интервал напряжений, в котором способно работать устройство. В этой главе будут рассмотрены туннельные диоды, в которых туннельный эффект используют как желаемое явление. Наиболее полезные черты этих диодов определяются квантово-механическим туннельным переходом. Эти черты включают в себя возможность работы на весьма высоких частотах ( и соответственно быстродействие при переключении), наличие отрицательного сопротивления при малых потерях на рассеяние мощности и относительную независимость характеристик от температуры. Мы увидим, что туннельный диод является не только простым и эффективным генератором или быстродействующим переключателем, но также и неоценимым инструментом для исследования полупроводников. Многие физические явления, которые рассматривались, по существу, лишь теоретически, позже были исследованы экспериментально с помощью туннельных диодов, как например, взаимодействие фононов в кристаллах. Ряд фундаментальных свойств полупроводников был изучен с помощью сравнительно простых экспериментов, в которых использовались туннельные диоды. [59]