Переключение - инвертор - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Дипломатия - это искусство говорить "хоро-о-ошая собачка", пока не найдешь камень поувесистей. Законы Мерфи (еще...)

Переключение - инвертор

Cтраница 1


Переключение инвертора DUI приводит к появлению импульса напряжения Ш на выходе DXU разностной длительностью Д и t - Тп / 4 ( рис. У. В первый момент ток через стабилитрон и напряжение на нижнем входе микросхемы DXU снижаются практически до нуля, чем обеспечивается временное запоминание импульса разностной длительности. Переключение DU4 к DU5 обеспечивает появление дискретного выходного сигнала ивых к Еп. После перезаряда конденсатора С2 до напряжения, при котором напряжение на нижнем входе DXU восстанавливается до большего ( Бл / 2), запоминание импульса U прекращается. Диод VD3 закрывается, и начинается разряд конденсатора СЗ ( через входное сопротивление инвертора DU4 и резистор R3) с постоянной времени, обеспечивающей задержку ( 3 l fl его переключения в исходное состояние ( отпускание) на время, достаточное для поступления очередного импульса, чем обеспечивается потенциальность выходного сигнала Увых. Он обеспечивает импульсную помехоустойчивость ЭС, предотвращая возможное неправильное ( ложное) формирование выходного дискретного потенциального сигнала под воздействием случайной импульсной помехи.  [1]

Для переключения инвертора в третье состояние используется сигнал управления с.  [2]

3 Схема ( а и временная диаграмма ( б элемента задержки появления и исчезновения дискретного сигнала. [3]

При появлении входного сигнала UMl - Еп и переключении инверторов DU1, DU2 диод VD2 закрывается под воздействием выходного напряжения DU2, близкого к Е, конденсатор С начинает перезаряжаться через резистор R. После перехода напряжения ис через нуль и изменения его знака открываются диод VD3 и транзистор VT. На верхнем входе DXU напряжение снижается практически до нуля, и на его выходе появляется напряжение С / вых, - Еп - выходной дискретный сигнал. Открывание транзистора фиксируется по цепи обратной связи - через резистор R5 под воздействием С / вых, проходит ток / ос.  [4]

В указанных формирователях может изменяться не только длительность выходного импульса, но и полярность перепада напряжения в момент переключения инвертора относительно полярности входного сигнала.  [5]

Поэтому для пуска двигателя в схеме с естественной коммутацией применяют следующие способы: 1) импульсный метод, использующий специальную систему управления выпрямителем; 2) переключение инвертора в режим искусственной коммутации; 3) асинхронный пуск синхронного двигателя, имеющего пусковую обмотку, от сети ( включен К.  [6]

Элементы D1 - D8, а также D9 - D12 - это германиевые диоды типа АА133, поскольку из-за большого падения напряжения ( свыше 0 6 В) на кремниевых диодах не может быть обеспечено надежное переключение инвертора.  [7]

8 Типичные формы сигнала при переключении инвертора. [8]

МДП-транзистор относится к числу быстродействующих приборов, так как протекание тока в нем обусловлено направленным перемещением основных носителей. Однако фактическая частота переключений инвертора оказывается на несколько порядков ниже собственной частоты транзистора, что объясняется сильным влиянием паразитных емкостей, которые необходимо перезаряжать в течение переходного процесса. Типичные формы сигнала при переключении инвертора, работающего на емкостную нагрузку, показаны на рис. 3.11. На этом рисунке через Сн обозначена эквивалентная емкость, объединяющая все переходные емкости. Формирование фронтов сигнала на выходе инвертора определяется временем зарядки и разрядки эквивалентной емкости. Емкость заряжается через нагрузочный транзистор, а разряжается через ключевой транзистор. Поскольку сопротивление нагрузочного транзистора более чем на порядок превышает сопротивление открытого ключевого транзистора, длительность включения, определяемая ключевым транзистором, намного меньше длительности выключения, определяемой сопротивлением нагрузочного транзистора. Кроме того, в процессе переключения сопротивление нагрузочного транзистора обычно возрастает вследствие влияния подложки. Отсюда можно заключить, что быстродействие инвертора оказывается ограниченным большой длительностью выключения. Емкость С заряжается до выходного напряжения, соответствующего уровню логической единицы, за счет прохождения тока нагрузочного транзистора.  [9]

Напряжение / 0) С вычитается из напряжения 1 / пр инвертора. Поэтому снижение мгновенного напряжения UR под воздействием остаточной гармонической составляющей удвоенной частоты до минимального Кдт - п не приводит ( при / 0) С не меньшем, чем удвоенная ее амплитуда) к переключению инвертора DU1 в исходное состояние. Выходное напряжение вых сохраняется.  [10]

Структурная схема преобразователя координат, реализованная на системе элементов, описанной в § 9.8, представлена на рис. 9.18. Цепь быстрой установки начальных условий ( см. рис. 6.23) инвертирует знак сигнала начальной установки. Поэтому в преобразователе для компенсации этой инверсии съем выходных сигналов осуществляется не непосредственно с выходов интеграторов генератора реализующей развертки ( ГРР), а через инвертор на операционном усилителе ОУ4, входная цепь которого ключами К8 и К9 подключается поочередно к выходу соответствующего интегратора. Однако переключение инвертора сопровождается в общем случае переходным процессом, максимальное время которого для конкретной схемы равно 10 мкс.  [11]

Она содержит набор КМОП-транзасторов: три р - и три n - канальных. Время переключения инвертора в К176ЛГП не Превышает 50 не. На рис. 2.17, б-и показано несколько применений этой микросхемы, причем указано, какие выводы корпуса следует соединить между собой.  [12]

13 Типичные формы сигнала при переключении инвертора. [13]

МДП-транзистор относится к числу быстродействующих приборов, так как протекание тока в нем обусловлено направленным перемещением основных носителей. Однако фактическая частота переключений инвертора оказывается на несколько порядков ниже собственной частоты транзистора, что объясняется сильным влиянием паразитных емкостей, которые необходимо перезаряжать в течение переходного процесса. Типичные формы сигнала при переключении инвертора, работающего на емкостную нагрузку, показаны на рис. 3.11. На этом рисунке через Сн обозначена эквивалентная емкость, объединяющая все переходные емкости. Формирование фронтов сигнала на выходе инвертора определяется временем зарядки и разрядки эквивалентной емкости. Емкость заряжается через нагрузочный транзистор, а разряжается через ключевой транзистор. Поскольку сопротивление нагрузочного транзистора более чем на порядок превышает сопротивление открытого ключевого транзистора, длительность включения, определяемая ключевым транзистором, намного меньше длительности выключения, определяемой сопротивлением нагрузочного транзистора. Кроме того, в процессе переключения сопротивление нагрузочного транзистора обычно возрастает вследствие влияния подложки. Отсюда можно заключить, что быстродействие инвертора оказывается ограниченным большой длительностью выключения. Емкость С заряжается до выходного напряжения, соответствующего уровню логической единицы, за счет прохождения тока нагрузочного транзистора.  [14]

Так же как и в БТ, в нормальных закрытых ПТУП, работающих при прямых смещениях на р-л-переходе затвор - исток, происходит накопление избыточного заряда неосновных носителей в затворной, истоковой и канальной областях. Поэтому быстродействие схем с непосредственными связями на ПТУП также зависит от времени рассасывания неосновных носителей, которое и определяет в основном время формирования положительного фронта выходного импульса при переключении инвертора при закрывающемся ПЭ. Кроме того, параметром, характеризующим длительность переходных процессов в схемах с непосредственными связями на ПТУП, является зарядка паразитной выходной емкости инвертора при формировании отрицательного фронта выходного импульса. Разрядка выходной емкости происходит через сопротивление канала открытого ПТУП и зависит в первом приближении от постоянной времени, равной RKCBb [ K. Следует отметить, что составляющая времени задержки переключения, обусловленная накоплением избыточного заряда неосновных носителей, больше других составляющих при значениях рабочих токов, соответствующих высокому уровню инжекции p - n - перехода затвор - исток ПТУП. Однако с уменьшением уровня токов влияние эффектов накопления на время задержки переключения уменьшается. ПТУП, их влияние незначительно по сравнению с влиянием времени зарядки-разрядки паразитных емкостей.  [15]



Страницы:      1    2