Cтраница 1
Переключение сердечников с ППГ из одного состояния намагниченности в другое можно осуществлять в основном двумя способами: путем перемагничивания импульсами тока, создающими поля, значительно превосходящие коэрцитивную силу, или совпадающими во времени несколькими токовыми импульсами, каждый из которых не может заметно изменить состояние сердечника, а их суммарное поле превосходит коэрцитивную силу. [1]
Время переключения сердечников с ППГ в устройствах автоматики и вычислительной техники составляет несколько микросекунд или долей микросекунды. [2]
![]() |
Однодиодная схема.| Условное обозначение концов обмогок.| Схема с условной передачей. [3] |
При переключении сердечника А из состояния 1 в состояние О ток /, возникающий в контуре, протекает к обмотке сердечника В по цепи, не обозначенной точкой, переключая тем самым сердечник В в состояние 1; таким образом осуществляется передача 1 от сердечника А к сердечнику В. Диод включается в схему для того, чтобы предотвратить обратный ток при записи информации в сердечнике В. Ток, входящий в конец обмотки Nz сердечника А, не обозначенный точкой, вызывает ток, который является обратным током для диода в контуре АВ. Ток в цепи обмотки N2 сердечника А в процессе считывания информации с сердечника А имеет небольшую величину. [4]
Условимся называть перемагничивание, переключение сердечника из - Вг в ВГ полным, а время, за которое происходит полное перемагничивание, будем обозначать tn и называть временем переключения сердечника. [5]
![]() |
Комбинированный дешифратор. [6] |
Это позволяет сделать время переключения сердечника очень малым, а величину импульса, который выдается а выход дешифратора, - большим. [7]
Таким образом, при переключении сердечника происходит усиление потока в прямом направлении ( от А к В) и ослабление потока в обратном направлении. [8]
Запрещающие импульсы имеют такую полярность, что они предотвращают переключение сердечника и стремятся ввести его в более глубокое насыщение. Выбранным оказывается тот сердечник, через который не проходит ни одной возбужденной запрещающей ликии. Поэтому импульс установки переключает его в противоположное состояние намагничивания. Эта фаза работы дешифратора называется селектирующей. [9]
Запрещающие импульсы имеют такую полярность, что они предотвращают переключение сердечника п стремятся ввести его в более глубокое насыщение. Выбранным оказывается тот сердечник, через который не проходит ни одной возбужденной запрещающей линии. Поэтому импульс установки переключает его ь противоположное состояние намагничивания. Эта фаза работы дешифратора называется селектирующей. [10]
Схемы, представленные в следующем разделе, будут содержать возбудители - источники импульсов переключения сердечников, усилители сигналов считывания и связанные с ними цепи запоминающих устройств и переключательные схемы, в которых используются магнитные элементы в качестве неотъемлемой части схем. Все источники управляющих импульсов на магнитных элементах характеризуются высокими возможностями в отношении тока, как это и требуется для большинства магнитных элементов. Хотя для получения такого большого тока необходимо подводить высокую мощность и производить сложный расчет цепей, магнитный элемент является единственным в своем роде среди переключательных элементов, в которых не требуется резервной мощности для поддержания их состояния намагничения. [11]
![]() |
Общий вид трансфлюксо. [12] |
Готовые сердечники подвергаются электрическим испытаниям по четырем параметрам: сигнал неразрушенной 1; сигнал разрушенного О; время переключения сердечника по частному циклу; полное время переключения сердечника. [13]
![]() |
Матрица запоминающего устройства со схемой D. [14] |
Создание экономически выгодных больших ЗУ по схеме ЗЕТ приводит к тому, что быстродействие работы ЗУ зависит уже не от времени переключения сердечников при записи и считывании, а от времени задержки сигналов в длинных линиях, образованных обмотками. Таким образом, каждая из схем 2D и 3D имеет как сбои преимущества, так и свои недостатки. [15]