Cтраница 2
На действующих макетах УТ емкостью 100 X 100 ячеек проведены исследования оптической эффективности, энергоемкости управления и динамических характеристик. Отметим, что несоблюдение условия Нс 5 Я3 ( где Я3 - поле зарождения), имеющее место в ортоферритах, исключает возможность переключения произвольной ячейки транспаранта. Способы записи информации в средах с Нс Н3 будут рассмотрены ниже. [16]
При разработке ИС памяти на эффекте Джозефсона необходимо, сохранив быстродействие, расширить допустимые пределы области функционирования. Необходимо путем учета регулярных факторов, связанных с технологическим процессом и проектированием, и нерегулярных факторов, таких как внешние шумы, магнитные ловушки, ток тепловых шумов, которым нельзя пренебречь из-за малочисленности квантов магнитнога потока, используемых в качестве памяти, решить вероятностную задачу переключения ячеек памяти на основе сверхпроводниковых квантовых интерферометров. [17]
В оптическом отношении такая ячейка эквивалентна пластине одноосного кристалла, вырезанной параллельно оси. Оптический контраст весьма высок: превыщаст сотни. Времена переключения ячейки между двумя устойчивыми состояниями уменьшаются сростом напряжения и температуры. При напряжении 50 В и температуре Т 68 Т для кристалла ГОБАМБЦ времена переключения составили около 0 5 мкс, а время сохранения метастабильного состояния может достигать долей секунды. Температурная зависимость времени переключения повторяет температурную зависимость вязкости ЖК. [18]
Установки, основанные на описанном эффекте и называемые ячейками Керра, находят широкое применение в НЛО и в других областях физики в качестве быстрых затворов. Для данной среды время переключения ячейки Керра определяется только очень короткими временами установления ориентации молекул. [19]
Геометрия ячейки со смектиком - С, реализующей описываемый принцип, показана на рис. 2.27. В ней смсктические слои ориентированы перпендикулярно подложкам. Поверхности подложек обеспечивают планарную ориентацию молекул. Толщина слоя ЖК соизмерима с тагом спирали, который обычно равен нескольким микрометрам, Переключение ячейки из одного устойчивого состояния в другое ( в общем случае метастабильное) осуществляется переменой напряжения на электродах ячейки. [20]
Количество адресных шин в АЦВМ выбирается равным числу интеграторов в регистре у ЦДА. Адресные шины выводятся из АЦВМ и присоединяются параллельно-к соответствующим номерам тин диодно-трансформаторной матрицы ЦДА. Таким образом, ячейки памяти матрицы НУ в ЦДА могут быть использованы, как ячейки памяти АЦВМ и как ячейки-памяти регистра НУ в ЦДА. Переключение ячеек памяти ЦДА на работу в качестве ячеек памяти АЦВМ производится с помощью триггера Tpi по сигналу команды из АЦВМ, а возвращение триггера Tpi в первоначальное положение - сигналом из АЦВМ по-окончании выполнения команды. Напряжение на выходе Tpi управляет вентилями Вг, В - г, включающими отдельные усилители записи и считывания для матрицы НУ в ЦДА, а также вентилями Ва - Be, включающими сигнал записи пли считывания из ЦДА или АЦВМ. Эти вентили, в свою очередь, включают вентили передающие для записи в матрицу код числа, хранящийся в регистре записи АЦВМ или в регистре записи ЦДА, или же считывающие код числа, хранящийся в матрице НУ, в регистр считывания ЦДА, или в регистр считывания памяти АЦВМ. [21]
Вся структура вместе с управляющим электродом наносится на изолированную экранирующую плоскость. Информация записывается в этой структуре при пропускании тока / А, несколько меньшего максимального джозефсонов-ского тока перехода / г от С к D ( или от D к С при дополнении) при наличии в переходе магнитного поля, генерируемого током управляющего электрода. При этом большая часть тока проходит по пути CBD. Считывание производится путем включения поля и определения знака нестационарного напряжения, возникающего на переходе. Согласно их оценке скорость переключения ячейки должна быть менее 10 не. [22]