Бомбардировка

Cтраница 3

Зависимость ( I - - AWAK от времени поданным, а ( Т 4 2, 7 8 мс. [31]

Бомбардировка кварца быстрыми нейтронами способствует образованию в нем парамагнитных дефектов. [32]

Более длительная бомбардировка может дать выход Мп54 до 0 1 и 0 2 милликюри. [33]

Схема отражательного микроскопа. О, - угол облучения, - угол наблюдения. [34]

Бомбардировка исследуемой поверхности ионами осуществляется с помощью ионной пушки. [35]

Бомбардировка первой сетки: 02 и А не включают; мощность нагрузки NG сетки О, составляет 800 / 0 A GI ( HOM. [36]

Бомбардировка поверхности изолятора заряженными частицами, электронами или ионами может, конечно, вызвать появление на ней заряда. Найдено [152], что при повышенном давлении воздуха предельный заряд несколько больше. В работе [118] сообщалось, что для использования метода электронного спинового резонанса достаточен заряд 1015 электрон - см-2, но возможно, что это просто опечатка. [37]

Бомбардировка пятифтористой сурьмы дает активную сурьму в сравнительно малолетучем состоянии, повидимому, в виде трехфтористой сурьмы. [38]

Схема экспери-ментальной установки. [39]

Бомбардировка поверхности твердых тел ускоренными ионами приводит к распылению образца и сопровождается оптическим излучением в видимой, ультрафиолетовой и инфракрасной областях спектра. Это излучение наблюдается над поверхностью мишени на расстоянии до 3 мм. [40]

Бомбардировку положительными ионами использовали Отли [ 9 и Иглтон и Томпкинс [10] для очистки поверхностей платины и железа. [41]

Бомбардировку ионами инертного газа осуществляют двумя довольно различающимися способами. По одному из них ионы инертного газа, образующиеся под действием электронного пучка, направляют к образцу с помощью напряжения, приложенного к самому образцу, или посредством отдельного ускоряющего электрода. Последний вариант ускорения предпочтителен, так как он позволяет применить такой источник ионов, который обеспечивает высокую степень коллимации ионного пучка, что позволяет свести к минимуму бомбардировку подложки. Такого типа стандартные источники ионов обычно используются в системах ДМЭ и возбуждаемой электронами ОЭС. Чтобы предотвратить загрязнение образца, эмиттер электронов и очищаемую поверхность не следует располагать на одной линии. Однако использовать этот метод нецелесообразно, так как при энергии ионов ниже 1 кэВ устойчивый режим работы, по существу, получить невозможно, а при более высокой энергии ионов наблюдается сильное нарушение структуры поверхности. Кроме того, эффективность очистки при помещении образца в тлеющий разряд сомнительна из-за возможного образования примесей в результате побочного процесса - распыления. [42]

Бомбардировку вторичными частицами высокой энергии можно устранить, вводя сетку с отрицательным потенциалом относительно экрана. Как подтверждают опыты, это подавляет эмиссию вторичных электронов. Однако, несмотря на это, слой водорода при возникновении изображения Не4 удаляется. [43]

Бомбардировкой ядрами или элементарными частицами можно превратить устойчивые атомы в радиоактивные. На ранней стадии изучения ядерных реакций единственным источником бомбардирующих ядер служил поток а-частиц, получающийся в результате распада естественных радиоактивных элементов. [44]

Бомбардировкой ядрами или элементарными частицами можно превратить устойчивые атомы в радиоактивные. На ранней стадии изучения ядерных реакций единственным источником бомбардирующих ядер служил поток ос-частиц, получающийся в результате распада естественных радиоактивных элементов. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5