Бомбардировка - катод
Cтраница 3
Если бы эмиссия катода не была бы ограничена при увеличении анодного напряжения -, то она стала бы увеличиваться за счет обратной бомбардировки катода электронами объемного заряда. [31]
После того как анодный ток становится равным току термоэлектронной эмиссии катода, дальнейший рост анодного тока оказывается возможным лишь за счет усиления бомбардировки катода положительными ионами, что требует увеличения анодного напряжения. Поэтому начиная с тока / а / е анодная характеристика газотрона поднимается вверх. Но бомбардировка катода ионами может легко вывести катод из строя, поэтому нельзя допускать увеличения анодного напряжения выше 18 - 24 В впарортутных газотронах и выше ЗОВ в газонаполненных. Практически предельное значение анодного тока берут не выше тока термоэлектронной эмиссии, так как при больших токах из-за интенсивной бомбардировки катода снижается долговечность прибора. [32]
Наряду с описанными электронными рентгеновскими трубками существует и другой тип рентгеновских трубок - ионные трубки, в которых свободные электроны образуются при бомбардировке катода ионам разреженного газа, ускоренными Электрическим полем. [33]
Наряду с описанными электронными рентгеновскими трубками существует и другой тип рентгеновских трубок - ионные трубки, в которых свободные электроны образуются при бомбардировке катода ионам разреженного газа, ускоренными электрическим полем. [34]
Наряду с описанными электронными рентгеновскими трубками существует и другой тип рентгеновских трубок - ионные трубки, в которых свободные электроны образуются при бомбардировке катода ионами разреженного газа, ускоренными электрическим полем. [35]
Рабочее напряжение для ионных фотоэлементов выбирают таким, чтобы в приборе не возник лавинообразный процесс ионизации газа ( самостоятельный разряд), при котором бомбардировка катода ионами может привести к его разрушению. [36]
Увеличение тока в ионномт приборе, работающем в режиме аномального тлеющего разряда, ведет к увеличению: напряжения на нем и усилению интенсивности, бомбардировки катода ионами. [37]
Для получения пленок диэлектриков и полупроводников применяют высокочастотное распыление, так как в диодных системах на постоянном токе поверхность катода заряжается положительными ионами и дальнейшая бомбардировка катода прекращается. Поэтому распыление проводят при переменном ВЧ напряжении. При отрицательной полуволне напряжения на диэлектрическом катоде происходит обычное катодное распыление, при положительной полуволне напряжения накопленный на катоде положительный заряд нейтрализуется вытягиваемыми из плазмы электронами. [38]
Физически различие состоит в том, что, тлеющий разряд поддерживается не термоэмиссией катода, а вторичной его эмиссией, которая возникает в результате бомбардировки катода ионами, падающими на него из плазмы под действием электрического поля. Ток возрастает ( например, при уменьшении внешнего сопротивления) в результате увеличения площади той части поверхности катода, которая занята разрядом. [39]
Рабочее напряжение для ионных фотоэлементов выбирают таким, чтобы в приборе не возник лавинообразный процесс иониза - ции газа ( самостоятельный разряд), при котором бомбардировка катода ионами может привести к его разрушению. [41]
Время формирования разряда по этой теории должно быть порядка I0 - 4 - f - 10 - 8 сек, если основное значение в эмиссии электронов имеет бомбардировка катода ионами. Определение времени формирования разряда, произведенное с помощью осциллографа, показало, что это верно для зажигания тлеющего разряда при низких давлениях. Это указывает на роль других процессов в механизме образования пространственного заряда. [42]
Предполагается, что источником первичных электронов являются фотоэлектроны, выбиваемые при освещении из катода, с плотностью фототока / 0, а вторичные электроны образуются в результате бомбардировки катода положительными ионами. Коэффициент вторичной эмиссии Y равен числу электронов, выбиваемых одним положительным ионом; а - коэффициент первичной ионизации Таунсенда, d - расстояние между электродами. [43]
 |
Коэффициенты интегрального излучения для чистого и кар-бидированного вольфрама. [44] |
При более высоких температурах долговечность катода снижается вследствие слишком интенсивного испарения тория, в то время как при более низких температурах она снижается вследствие катодного распыления ториевой пленки под влиянием бомбардировки катода ионами остаточных газов. [45]
Страницы: 1 2 3 4