Электронная бомбардировка

Cтраница 4

В результате электронной бомбардировки аиод нагревается. [46]

В результате электронной бомбардировки аноды ламп нагреваются. Это опасно в двух отношениях. Во-первых, три слишком высокой температуре анода из металла может тачать выделяться газ. Во-вторых, нагрев анода создает дополнительный нагрев катода. Для оксидных катодов, работающих при сравнительно низкой температуре, это может оказаться губительным, потому что оксидные катоды при перегреве быстро теряют эмиссию. [47]

В результате электронной бомбардировки аноды ламп нагреваются. Это опасно в двух отношениях. Во-первых, при слишком высокой температуре анода из металла может начать выделяться газ. Во-вторых, нагрев анода создает дополнительный нагрев катода. Для оксидных катодов, работающих при сравнительно низкой температуре, это может оказаться губительным, потому что оксидные катоды при перегреве быстро теряют эмиссию. [48]

Конструктивно-анизотропные. мембраны. [49]

Под воздействием электронной бомбардировки, энергия и длительность которой выбираются с учетом теплопроводности, температуры плавления, энергии связи в решетке и других характеристик материала мембраны, происходит локальный быстрый нагрев с последующим уносом массы металла. [50]

Распределение разрядной сетки неполной ячейки. [51]

В результате электронной бомбардировки поверхность диэлектрика приобретает равновесный потенциал, величина к-рого определяется разностью потенциалов между катодом источника первичных электронов ( катодом электронного прожектора) и коллектором вторичных электронов. Если этот потенциал лежит между первым н вторым критич. Если же потенциал катода ниже первого критического, то равновесный потенциал диэлектрика устанавливается близким к потенциалу катода. При потенциале катода выше второго критического потенциал поверхности диэлектрика устанавливается близким ко второму критич. Если диэлектрик нанесен тонким слоем на металлическую подложку, наз. [52]

Распределение разрядной сетки неполной ячейки. [53]

В результате электронной бомбардировки поверхность диэлектрика приобретает равновесный потенциал, величина к-рого определяется разностью потенциалов между катодом источника первичных электронов ( катодом электронного прожектора) и коллектором вторичных электронов. Если этот потенциал лежит между первым и вторым критич. Если же потенциал катода ниже первого критического, то равновесный потенциал диэлектрика устанавливается близким к потенциалу катода. При потенциале катода выше второго критического потенциал поверхности диэлектрика устанавливается близким ко второму критич. Если диэлектрик нанесен тонким слоем на металлическую подложку, паз. [54]

При использовании электронной бомбардировки необходимо убедиться, что сам источник электронов не содержит примесей; следует избегать применения продажных окисных эмиттеров, содержащих окислы щелочных и щелочноземельных металлов. Электронную пушку целесообразно располагать не напротив очищаемой грани, а сзади образца или отклонять электронный пучок электростатически. [55]

Вакуумная печь сопротивления с графитовым нагревателем.| Схема вакуумной дуговой печи с расходуемым электродом. [56]

Плавка методом электронной бомбардировки. [57]

Схема электродов термоионного источника. [58]

Источники с электронной бомбардировкой более универсальны. [59]

Источники с электронной бомбардировкой, используемые обычно на секторных масс-спектрометрах, снабжены, как правило, вспомогательным магнитом источника, магнитное поле которого, ориентированное по направлению электронного пучка, составляет несколько сот эрстед. Был сконструирован ряд источников без этого магнитного поля [216, 360, 361], однако до сих пор источники с вспомогательным магнитом имеются почти во всех аналитических, приборах, так как наличие магнита обеспечивает образование в источнике ионов на эквипотенциальной поверхности и улучшает разрешение и чувствительность. Общепринято мнение, что работа с подобным магнитным полем вводит нежелательную дискриминацию по массам, однако до сих пор не была проверена возможность включения влияния этого поля при вычислении дискриминации, возникающей в источнике. Инграм [1012] установил, что дискриминация масс, вызванная указанным выше фактором, не изменяется, если отношение этого поля к полю основного магнита поддерживается постоянным. В этих условиях сравнительные измерения могут быть проведены с удовлетворительной точностью. Однако изменение траектории электронов, связанное с изменением поля источника, вызывает изменение траектории положительных ионов, что приводит к меняющейся дискриминации. Поэтому единственным путем устранения одной из причин дискриминации по массам может быть лишь исключение этого поля. Изменение электростатического ускоряющего или магнитного полей приводит к изменению поля внутри ионизационной камеры, однако эти колебания могут быть сведены к минимуму при тщательном расчете прибора. Было показано [1068], что колебания магнитного или электростатического полей в ионизационной камере приводят, благодаря смещению электронного пучка, к незначительным систематическим ошибкам при измерении относительного содержания различных ионов. Из-за смещения электронного пучка и изменения условий образования объемного заряда [108] в источнике ионы образуются в различных точках, что обусловливает дискриминацию. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5