Перемещение - образец
Cтраница 2
 |
Схема анизометра для измерения анизотропии в импульсных полях. [16] |
Последний используется для перемещения образца в вертикальном и горизонтальном положениях и вращения его вокруг оси кварцевого стержня. [17]
Таким образом происходит комбинированное поступательно-вращательное перемещение образца вдоль истирающей поверхности шлифовальной шкурки. Внутри барабана установлен нагреватель с автоматическим регулятором, обеспечивающий температуру поверхности барабана в пределах от 40 до 130 С с точностью до 2 С. [18]
Одновременно с нахождением перемещения образцов записывают термические циклы сварки в фиксированных точках 5 материала образца. [19]
При этом длительность перемещения образцов из одной камеры в другую не должна превышать 2 мин. [20]
Профиль поверхности получают перемещением образца с помощью микрометрического винта. [21]
Вакуумный сальник 9 обеспечивает перемещение образца внутри камеры из печи в зону тепломера и обратно. Шторка 6 устраняет тепловое воздействие печи на образец в стадии охлаждения. Экраны 8 фиксируют длину L рабочего участка образца. [22]
Во всех описанных способах перемещение образца по горизонтали и по вертикали возможно на расстояние от 100 мм до 500 мм. [23]
Механизм установки датчика обеспечивает перемещение образца в зазоре вдоль вертикальной и горизонтальной осей для выбора места наилучшей однородности магнитного поля. [24]
Во всех описанных способах перемещение образца по горизонтали и по вертикали возможно на расстояние от 100 мм до 500 мм. [25]
Скорость газификации измеряется но перемещению образца. [26]
Сканирование может быть осуществлено перемещением образца относительно рентгеновского пучка. [27]
 |
Поверхность образца кремния после проведения послойного анализа.| Профилограмма поверхности кремниевой - толщина удаленного слоя. hi - высота выступов, окружающих область сканирования. [28] |
Проба подвергается равномерной эрозии и перемещение образца относительно противоэлектрода с постоянной скоростью обеспечивает удаление слоя одной и той же толщины со всей поверхности образца. Поскольку глубина отдельных кратеров достаточно мала, становится возможным препарирование вакуумным искровым разрядом тонких слоев твердых тел. [29]
 |
Факторы риска и меры предосторожности в коллекционном менеджменте. [30] |
Страницы: 1 2 3 4