Cтраница 2
При перемещении пластины 10 вниз под действием пружины 9 мембрана 6 прогибается, создавая в коробке 4 разрежение, препятствующее, перемещению мембраны. [16]
По мере перемещения пластины от стенки к оси волновода диэлектрическая пластина смещается в область более интенсивного электрического ноля и увеличивается фазовый сдвиг. [17]
По мере перемещения пластины относительно луча в ней образуется последовательный ряд углублений с большим коэффициентом перекрытия, в результате чего получается ровная непрерывная канавка, имеющая в сечении V-образную форму, с шириной на поверхности пластины не более 25 мкм и глубиной около 50 мкм. При этом отсутствуют радиальные микротрещины и нагревание пластины, закрепленной к рабочему столу при помощи вакуумной присоски. Недостаток лазерного скрайбирования состоит в том, что испаренный из зоны обработки материал оседает на более холодную поверхность пластины. Однако этот тонкий слой легко удаляется ультразвуком без повреждения полупроводника или интегральной схемы. Глубина нарезанной канавки очень важна при раскалывании интегральной схемы или других тонких пластин на отдельные элементы. Экспериментально обнаружено, что при глубине канавки в 25 - 35 % от общей толщины пластины получается раскалывание высокого качества. Более глубокие разрезы, естественно, повышают качество раскалывания, но, как правило, для их получения приходится уменьшать скорость скрайбирования. [18]
Для обеспечения перемещения пластины вдоль оси паза необходимо использование направляющих. Благодаря небольшой величине максимального отклонения пластины вдоль оси х изменение расстояния между пластиной и корпусом оказывается пренебрежимо малым. [19]
Эта формула описывает перемещения пластины с учетом гипотезы Кирхгофа. [20]
В некоторых случаях перемещения пластины оказываются, настолько большими, что необходим учет геометрической нелинейности, вызванной растяжением срединной поверхности, Соответствующая нелинейная теория рассмотрена в разделе V. Если пластина относительно толстая или модуль сдвига по толщине очень мал по сравнению с модулем упругости в плоскости пластины ( типичный случай для композиционных материалов), то могут нарушаться гипотезы Кирхгоффа, используемые для тонких пластин. [21]
Недостатком второго способа является перемещение пластины во время опыта, что нарушает гидродинамику слоя, особенно при скоростях фильтрации соответствующих пределу устойчивости. [22]
Координатный стол предназначен для перемещения пластины со светочувствительным слоем относительно неподвижной оптической системы, чтобы обеспечить распечатывание изображения модуля по всему рабочему полю фотошаблона с заданной точностью. [23]
В зависимости от направления перемещения пластины возможна прямая или обратная ориентация молекул ПАВ на твердой подложке и соотв. Несколько М.с., нанесенных последовательно, позволяют получать полимолекулярные пленки с высокой степенью упорядоченности. [24]
![]() |
Электростатический измерительный механизм с изменением расстояния между электродами. [25] |
Следует отметить, что направление перемещения пластины 3 не зависит от знака напряжения U. Противодействующий момент в рассматриваемом механизме создается весом подвижной пластины. Это требует установки прибора в такое положение, чтобы при отсутствии напряжения стрелка стояла на нулевой отметке. [26]
![]() |
Электростатический измерительный механизм с изменением расстояния между электродами. [27] |
Следует отметить, что направление перемещения пластины 3 не зависит от знака напряжения U. Противодействующий момент в рассматриваемом механизме создается весом подвижной пластины. Это требует установки прибора в такое положение, чтобы при отсутствии напряжения стрелка стояла на нулевой отметке. [28]
![]() |
Шлифовка пластин. [29] |
Скорость шлифовки зависит от скорости перемещения пластины относительно шлифовальной плиты. Таким образом, вращение кассеты в указанном направлении увеличивает скорость шлифовки по мере приближения к центру шлифовального диска и уменьшает ее в периферийных местах. [30]