Перемещение - свободный электрон
Cтраница 3
 |
Характеристики ферромагнитных материалов ( ни-келькобальтоцинкового феррита. а - кривые намагничивания и индукции. б - кривые ( г f ( Н и у. / ( Н. [31] |
В реальных ферромагнитных кристаллах процесс перемещения граничных слоев протекает сложнее, чем по рассмотренной выше схеме. Можно полагать, что всякое перемещение стенок Блоха сопровождается перемещением свободных электронов в металлах и слабосвязанных электронов в полупроводниках, а если это перемещение происходит медленно, то, кроме движения электронов, перемещение стенок Блоха вызывает также изменение положения дефектов кристаллической структуры, в частности в ферритах-катионных и анионных вакансий, внедренных катионов и других точечных дефектов. [32]
 |
Поле Ер, созданное поляризационными зарядами а и а, направлено противоположно полю., которое создано зарядами Ь к и на обкладках конденсатора. [33] |
Однако между этими явлениями существует и различие. Мы видели, что электризация проводников посредством влияния объясняется перемещением свободных электронов, которые в проводниках могут передвигаться по всему объему проводника. Разъединяя в электрическом поле проводник на две части, мы можем отделить наведенные ( индуцированные) заряды, и обе половины проводника останутся заряженными даже после устранения поля, вызвавшего эти заряды. [34]
В интервале температур 7 - Г2 проводимость полупроводника несколько уменьшается. Это вызвано интенсивными тепловыми колебаниями его атомов, которые мешают перемещению свободных электронов и дырок. При дальнейшем повышении температуры в полупроводнике развивается собственная электропроводность. В связи с этим возникает большое количество новых электронов и дырок, направленное перемещение которых создает все возрастающий ток в полупроводнике. В связи с этим удельная проводимость полупроводника резко возрастает. [36]
Полезно обсудить с учащимися объяснение явления электростатической индукции на основании электронной теории. В элек - - тризующемся теле под действием сил электрического поля происходит перемещение свободных электронов, благодаря чему на одном конце тела оказывается избыток, а на другом - недостаток электронов. [37]
В строительстве используются не чистые металлы, а их сплавы. Они отличаются от металлов температурой плавления, теплопроводностью, электропроводностью, твердостью и другими свойствами, что связано с затруднениями в перемещении свободных электронов в сплавах вследствие присутствия в их среде примесей. [38]
Теплопроводность в чистом виде, как правило, встречается только в твердых телах. Так, в диэлектриках перенос теплоты путем теплопроводности осуществляется за счет распространения упругих волн колеблющихся атомов и молекул, в металлах он связан с перемещением свободных электронов и колебаниями атомов кристаллической решетки. [39]
Когда валентный электрон, становясь свободным, покидает атом, в данном атоме возникает недостаток в одном валентном электроне - образуется дырка, а в кристаллической решетке появляется свободный электрон. Протекание тока в полупроводнике обусловлено не только перемещением свободных электронов, но и перемещением дырок. Это отличает механизм электропроводности полупроводников от проводников. В полупроводниках под действием электрического поля в одном направлении перемещаются свободные электроны, а в другом - дырки. [40]
К проводникам второго рода относятся растворы солей, кислот и щелочей. В металлах, как мы видели, электрический ток сводится к перемещению свободных электронов. В проводниках второго рода носителями зарядов являются ионы. [41]
Собственная электропроводность полупроводников вызвана разрывами ковалент-ных связей и переходом валентных электронов в зону проводимости, В таких полупроводниках число валентных электронов, ушедших в зону проводимости, равно числу дырок, образовавшихся в результате ухода валентных электронов. Поэтому ток в полупроводниках с собственной электропроводностью создается направленным движением свободных электронов и направленным перемещением дырок. Следует помнить, что направленное перемещение дырок является следствием перемещения электронов в валентной зоне, но направление дырочного тока совпадает с направлением перемещения дырок и противоположно действительному направлению перемещения свободных электронов в валентной зоне. Концентрация дырок в полупроводнике типа I равна концентрации электронов. [42]
Сравнительно немногочисленные электроны, сделавшиеся свободными, оторвались от некоторых атомов полупроводника, которые, таким образом, превратились в ионы. Каждый из таких ионов окружен большим числом нейтральных атомов. Нейтральные атомы, находящиеся в непосредственной близости к иону, могут легко отдавать ему свой электрон, делая ион нейтральным, но сами превращаясь в ионы. Итак, наряду с перемещением свободных электронов, в полупроводнике может происходить процесс, имеющий характер перемещения положительных зарядов. [43]
Сравнительно немногочисленные электроны, сделавшиеся свободными, оторвались, очевидно, от некоторых атомов полупроводника, которые, таким образом, превратились в ионы. Каждый, из таких ионов окружен большим количеством нейтральных атомов. Нейтральные атомы, находящиеся в непосредственной близости к иону, могут легко отдавать ему свой электрон, делая его нейтральным, но сами превращаясь в ионы. Таким образом, наряду с перемещением свободных электронов в полупроводнике может происходить процесс, имеющий характер перемещения п о л о-жительныхзарядов. [44]
Сравнительно немногочисленные электроны, сделавшиеся свободными, оторвались, очевидно, от некоторых атомов полупроводника, которые, таким образом, превратились в ионы. Каждый из таких ионов окружен большим количеством нейтральных атомов. Нейтральные атомы, находящиеся в непосредственной близости к иону, могут легко отдавать ему свой электрон, делая его нейтральным, но сами превращаясь в ионы. Таким образом, наряду с перемещением свободных электронов в полупроводнике может происходить процесс, имеющий характер перемещения положительных зарядов. [45]
Страницы: 1 2 3 4