Входной перепад
Cтраница 1
 |
Канал, соединяющий два бьефа. [1] |
Входной перепад ZBX возникает в основном благодаря переходу потенциальной энергии верхнего бьефа в кинетическую энергию воды, поступающей в канал: при входе в канал скорости потока резко повышаются. [2]
Отклонение переходной характеристики ( кривая б) от формы входного перепада характеризует степень искажений, вносимых цепью. [3]
В момент t4, когда емкость нагрузки перезарядится на величину входного перепада, транзистор вновь открывается и ток достигает статического значения. [4]
Ток базы во время действия входного импульса можно практически считать неизменным, так как входное сопротивление транзистора обычно много меньше сопротивления R. Под воздействием входного перепада тока I i транзистор переходит последовательно из области отсечки в активную область и далее в область насыщения. [5]
Рассмотрим влияние емкости С2, предполагая, что ключ отпирается и запирается мгновенно. После возникновения входного перепада отрицательной полярности ключ открывается, но, поскольку между коллектором и эмиттером транзистора включены последовательно соединенные конденсатор С и вы-ходная емкость С2, напряжение на его коллекторе скачком измениться не может. [6]
 |
Канал, соединяющий два бьефа. [7] |
Получаем так называемый длинный канал. Скорости в длинных каналах обычно относительно невелики, причем входным перепадом ZBX в них часто можно пренебречь и считать, что горизонт воды в начале канала стоит на одном уровне с горизонтом воды верхнего бьефа. [8]
Заметим, что если Е Е, то подача 1 на все входы не приводит к запиранию диодов. EI, что обеспечивает наличие некоторого порога срабатывания при отрицательном входном перепаде ( от 1 к 0) и, следовательно, лучшую помехоустойчивость элемента. [9]
Время выхода транзистора из насыщения соответствует времени рассасывания неосновных носителей заряда и зависит от степени насыщения, параметров транзистора и величины входного перепада тока. [10]
 |
Формирование длинных импульсов цифровым способом. [11] |
Эти импульсы могут использоваться для предварительной установки схемы и запуска операций, перед которыми требовалось выполнить некоторые предварительные действия, о завершении которых сообщает спад входного сигнала. Так как для управления остальной частью схемы скорее всего используются тактовые импульсы, будем предполагать, что сигнал на D-входе снимается синхронно с передним фронтом такта. В схеме на рис. 8.67, а входной перепад запускает первый одно-вибратор, который по концу своего выходного импульса запускает второй од-новибратор. [12]
Как было отмечено в § 2.10, искусственные линии задержки из LC-звеньев обеспечивают время задержки импульсов порядка долей микросекунды. В ряде случаев при построении импульсных устройств требуется получить большее время задержки. Время задержки соответствует времени от момента появления входного перепада до момента переключения порогового каскада. Увеличение времени задержки в подобных устройствах по сравнению с искусственными линиями задержки ( см. § 2.10), обеспечивающими неискаженную передачу импульсов практически любой формы, достигнуто за счет дополнительных ограничений: длительность выходного импульса формирователя, состоящего из RC-цеш и инвертора, может быть не равна длительности входного импульса ( no - существу, формирователь путем использования энергии источника питания создает новый импульс, отстоящий от входного на время задержки / 3); форма выходного импульса формирователя только прямоугольная или близкая к ней; расчетное время задержки получается при воздействии на вход устройства сигналов определенной формы - прямоугольных импульсов или перепадов напряжения. Однако во многих случаях входные сигналы отвечают поставленным требованиям, а различие в длительности входного и выходного импульсов принципиального значения не имеет. Существенное значение имеет лишь получение заданной задержки импульсов. В этом случае использование формирователей рассматриваемого класса вполне оправдано. [13]
В стадии подготовки, начинающейся в момент поступления на вход триггера положительного скачка напряжения, несколько повышается потенциал эмиттеров, базовый ток входного транзистора меняет свое направление и транзистор 7 4 начинает закрываться. Однако в случае глубокого насыщения спад коллекторного тока входного транзистора начинается с некоторым запаздыванием, когда из области базы будут удалены избыточные неосновные носители заряда. Время выхода транзистора из насыщения соответствует времени рассасывания неосновных носителей заряда и зависит от степени насыщения, параметров транзистора и величины входного перепада тока. [14]
Режим работы триодов выбирается линейным и определяется эмиттерным генератором тока. База одного из триодов находится под нулевым потенциалом, а на базу второго триода подается входной сигнал, так что при подаче на вход положительного или отрицательного потенциала относительно земли эмиттер-ный ток Л, переключается из одного триода в другой. Для переключения схемы достаточно иметь перепад 0 2 в, вследствие чего на выходе ячейки нетрудно получить запас в 3 - 4 раза по отношению к необходимому входному перепаду. [15]
Страницы: 1