Cтраница 1
![]() |
Напорная труба ZBC - перепад восстановления. [1] |
Отрицательный перепад ZBC называется перепадом восстановления. [2]
![]() |
Рассасывание носителей в базе. [3] |
Отрицательный перепад тока означает отсос заряда, и потому последний, естественно, начинает уменьшаться. Однако, как и в заряженной емкости, заряд не может измениться скачком, не может мгновенно измениться и распределение заряда в базе. [4]
![]() |
Схема и временнйе диаграммы работы транзисторного. [5] |
Отрицательный перепад коллекторного потенциала имеет большую длительность, чем ф, так как зар яд конденсаторов происходит через резистор RK одного каскада и базовую цепь другого каскада. [6]
![]() |
Условное графическое обозначение К583ВА4. [7] |
Отрицательный перепад уровней сигнала STB1 - STB4 стробирует раздельное занесение - информации в регистры данных RG1 - RG4 соответственно. [8]
![]() |
Условное графическое обозначение К583ХЛ1.| Структурная схема К. 583ХЛ1. [9] |
Отрицательный перепад уровней сигнала R стробирует занесение информации во все регистры данных RG1 - RG4 одновременно. [10]
Периодически повторяющиеся положительные и отрицательные перепады образуют напряжение прямоугольной формы. [11]
Последействия отрицательного перепада сопротивление диода в течение некоторого времени, пока в базе имеется накопленный неравновесный заряд, продолжает оставаться малым. Поэтому через диод сразу после перепада будет проходить обратный ток, величина которого / 2 ж E2 / R в течение некоторого времени остается примерно постоянной. Только после удаления неравновесного заряда под действием тока / 2 и вследствие рекомбинации неосновных носителей сопротивление диода увеличивается до стационарной величины доор и ток Диода постепенно спадает до величины / д обр. Это время в основном и определяет влияние инерционности диода на быстродействие ключей. [12]
По отрицательному перепаду ТС все функциональные узлы микросхемы переходят в исходное состояние, при котором из-за отсутствия разрешающих сигналов Ф и Фз закрываются ключи выборки строк и столбцов и матрицв-накоштель изолируется от всех цепей. Время, необходимое на установление этих процессов определяется одний из временных параметров - минимальной длительностью паузы между ТС. [13]
![]() |
Управление логикой от компараторов и операционных усилителей.| Пороговый детектор с гистерезисом. [14] |
ТТЛ-элемента ограничивает отрицательный перепад до величины падения на диоде ниже земли, а внешний диод ограничивает положительный перепад. Последовательно включенный резистор предотвращает повреждение схемы, когда на входном транзисторе ТТЛ появляется напряжение обратного пробоя база-эмиттер. Величина резистора выбирается достаточно малой для того, чтобы отвести входной ток на низком уровне ТТЛ, когда на выходе операционного усилителя появится отрицательное напряжение в несколько вольт. [15]