Переползание

Cтраница 2

Затруднение переползания при расщеплении дислокаций сопровождается увеличением концентрации напряжений и конденсацией вакансий в поры на границах зерен. Причина состоит в том, что из-за больших расстояний между порогами дислокации плохо выполняют роль стоков. [16]

Скорость переползания дислокаций измерялась многочисленных работах, хотя исключительно только для случая переползания призматических петель, вызванного линейным натяжением дислокаций. Тем не менее эти измерения в значительной степени подтверждают теорию переползания краевых дислокаций. [17]

Роль переползания дислокаций в перестройке волнового числа вали-ковой структуры исследовалась также в эксперименте с воздухом [182]; отмечено также, что скольжение дислокаций может вести к возникновению фазовой турбулентности. [18]

Механизм переползания прямолинейной краевой дислокации под действием упругих напряжений мы рассмотрели в предыдущем параграфе, где было отмечено, что наличие большого числа однотипных краевых дислокаций не может обеспечить стационарного течения кристалла. Но если в кристалле имеются две системы параллельных дислокаций, плоскости скольжения которых взаимно перпендикулярны, то процесс их переползания происходит при неизменном пересыщении точечных дефектов, а поэтому может быть стационарным. [19]

Образование ступенек разных знаков на винто - вых участках петли в результате переползания г в противоположных направлениях краевых участков. [20]

Благодаря переползанию краевых участков и консервативному движению созданных таким переползанием ступенек на винтовых участках дислокационной петли ( рис. 2.4) эта петля может целиком переместиться в соседнюю параллельную плоскость скольжения без участия поперечного скольжения. [21]

Пересечение двух винтовых дислокаций ( дефекты решетки образуются вдоль линии А В.| Схемы рекомбинации краевых дислокаций противоположного знака, расположенных в соседних плоскостях скольжения. [22]

При переползании дислокации с краевой составляющей из своей плоскости скольжения на соседнюю образуется ряд вакансий или межузельных атомов. Таким образом, плотность точечных дефектов увеличивается в результате движения и взаимодействия дислокаций. [23]

Движение путем переползания связано с переносом массы и потому совер. [24]

Значения скорости переползания при температурах выше 1 К оказались несколько выше, чем обычно наблюдающиеся в случае стекла; кроме того, были обнаружены различия между результатами, полученными в различных экспериментах, достигавшие 15 %, что, возможно, связано с небольшим загрязнением поверхности, по которой происходит переползание пленки. Для сравнения результаты, полученные в каждом из экспериментов, умножались на постоянный множитель с тем, чтобы получить одинаковые значения скорости переползания при 1 2 К. [25]

Нначенпя скорости переползания при температурах выше Г К оказались несколько выпи, чем обычно наблюдающиеся в случае стекла; кроме того, были обнаружены различия между результатами, полученными и различных экспериментах, достигавшие 15 %, что, возможно, связано с небольшим загрязнением поверхности, по которой происходит переползание пленки. Для сравнения результаты, полученные в каждом из экспериментов, умножались на постоянный множитель с тем, чтобы получить одинаковые значения скорости переползания при 1 2 К. [26]

Перемещение краевой дислокации путем удлинения лишней атомной полуплоскости при конденсации междоузельных атомов ( М или укорочении лишней полуплоскости при конденсации вакансий ( В. [27]

И скольжение и переползание происходят под действием упругих напряжений. Скольжение, если рассматривать его как быстрое механическое движение, отличается от переползания своим пороговым характером: оно начинается только тогда, когда напряжение превышает определенную величину - стартовое напряжение. Но в ряде кристаллов ( например, во многих металлах) для начала перемещения дислокаций требуются сравнительно небольшие напряжения. [28]

ЗУ, поскольку переползание и аннигиляция этих сегментов происходят так быстро, что скорость ползучести этим не лимитируется. [29]

Изменение уровня микроискажений кристаллической. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5