Перераспределение - заряд
Cтраница 1
Перераспределение зарядов в проводнике под влиянием внешнего электростатического поля называется явлением электростатической индукции. [1]
Перераспределение зарядов приводит к увеличению полярности связей. В этом комплексе центральная молекула находится почти в том же положении, что и в жидкой воде. Атомы водорода, с которыми центральная молекула образует Н - связи. [2]
Перераспределение зарядов в проводнике под влиянием внешнего электростатического поля называется явлением электростатической индукции. Возникающие при этом на проводнике заряды, численно равные друг другу, но противоположные по знакам, называются индуцированными или наведенными зарядами. Индуцированные заряды исчезают, как только проводник удаляется из электрического поля. [3]
 |
Схема процесса электролиза.| Двойной электрический слой. [4] |
Перераспределение зарядов происходит на расстояниях от электрода, сравнимых с размерами отдельных молекул, и не нарушает электронейтральность общей массы раствора. [5]
Перераспределение зарядов вызывает изменение электрического поля. Движение зарядов прекращается только тогда, когда напряженность электрического поля в проводнике становится равной нулю. [6]
Перераспределение зарядов закончится тогда, когда потенциалы шаров сравняются. [7]
 |
Использование защиты против образования избыточных зарядов вблизи поверхности кристалла. [8] |
Иногда перераспределение зарядов в окисле вблизи переходов происходит весьма быстро, в течение миллисекунд. Например, в германиевых сплавных транзисторах иногда наблюдается явление так называемой коммутационной нестабильности обратного тока. Оно заключается в том, что в течение некоторого времени после подачи напряжения величина обратного тока во много раз превышает установившееся значение. Происходит как бы разряд некоторой емкости и перемещение зарядов. [9]
Такое стационарное перераспределение заряда наблюдается при образовании обычных координационных связей и комплексов с переносом заряда при координировании в катализе ( гомогенном и гетерогенном) и в некоторых других случаях. Величина переноса заряда Д7 может служить важной характеристикой самой системы и инициируемых этим переносом процессов. [10]
Явление перераспределения зарядов в проводнике во внешнем электростатическом поле называется электростатической индукцией. Оно состоит в разделении положительных и отрицательных зарядов, которые содержатся в проводнике в одинаковых количествах. Заряды, разделенные электростатическим полем ( наведенные, индуцированные заряды), взаимно компенсируют друг друга, если проводник удаляют из поля. При этом восстанавливается обычное состояние металлического твердого тела. [11]
Энергия перераспределения зарядов внутри сферы не зависит от диэлектрической проницаемости вне сферы в случае сферической симметрии. Таким образом, энтальпия гидратации равна - z2e2 ( 1 / 2 - 1 / 160) / г. Если выражать А / / в кДж - моль 1, то эффективный радиус в ангстремах будет равен г 686га / АЯ. [12]
Явление перераспределения зарядов в проводнике во внешнем электростатическом поле называется электростатической индукцией. Оно состоит в разделении положительных и отрицательных зарядов, которые содержатся в проводнике в одинаковых количествах. Заряды, разделенные электростатическим полем ( наведенные, индуцированные заряды), взаимно компенсируют друг друга, если проводник удаляется из поля. При этом восстанавливается обычное состояние металлического твердого тела. [13]
Явление перераспределения зарядов в проводнике во внешнем электростатическом поле называется электростатической индукцией. Оно состоит в разделении положительных и отрицательных зарядов, которые содержатся в проводнике в одинаковых количествах. Заряды, разделенные электростатическим полем ( наведенные, индуцированные заряды ], взаимно компенсируют друг друга, если проводник удаляет из поля. При этом восстанавливается обычное состояние металлического твердого тела. [14]
 |
Зависимость емкости варикапа на основе n - Si ( о и р - Si ( б от напряжения смещения при частоте. а / - 50 Гц. 2 - 103 Гц. 3 - 10s Гц. 4 - теория. б / - 1 кГц. 2 - 100 кГц. 3 - 1 МГц. [15] |
Страницы: 1 2 3 4