Перераспределение - электрон
Cтраница 2
Хемосорбция обусловлена перераспределением электронов взаимодействующих между собой газа и твердого тела с последующим образованием химических связей. Иными словами, физическая адсорбция подобна конденсации паров с образованием жидкости или процессу сжижения газов, а хемосорбция может рассматриваться как химическая реакция, протекание которой ограничено поверхностным слоем адсорбента. [16]
Действие света вызывает перераспределение электронов по энергетическим уровням. Если энергия кванта света hv ( как на рис. 3.11) превышает ширину запрещенной зоны, поглотившей квант, электрон переходит в зону проводимости. [17]
Внутренним фотоэффектом называется перераспределение электронов по энергетическим состояниям в твердых телах и жидкостях в результате поглощения фотонов, которое сопровождается образованием дополнительных носителей зарядов или возникновением внутренней фото-эдс. [18]
Вследствие этого происходит перераспределение электронов и появляются заполненные, отрицательно заряженные состояния в хвосте, прилегающем к зоне проводимости, и свободные, положительно заряженные состояния - в хвосте, связанном с валентной зоной. Эти процессы вызывают самокомпенсацию материала, в результате чего уровень Ферми занимает фиксированное положение вблизи середины запрещенной зоны. Данная модель позволяет объяснить электрические свойства халькогенидных стекол. Однако аморфные халькогениды обладают высокой оптической прозрачностью за краем поглощения, имеющим резкую границу, что не согласуется с предположением о глубоком проникновении хвостов плотности состояний в запрещенную зону. Рассматриваемая модель в большей степени подходит для описания свойств аморфного кремния, в котором свет поглощается значительна сильнее, чем в соответствующих кристаллических образцах. [19]
Весьма значительна асимметрия перераспределения электронов при и - тг - переходах: электроны, локализованные вблизи определенного атома, переходят в сопряженную тг-систему. Интенсивность большинства п - тг - переходов мала: несвязывающие электроны часто находятся на орбиталях, которые практически не перекрываются с тг-системой. Если указанные системы сильно перекрываются, то - электроны частично участвуют в сопряжении ( см. разд. Переходы, в которых участвуют такие электроны, будут рассмотрены более подробно. [20]
Изобразить соединения с симметричным перераспределением электронов по связям этим методом не удается. [21]
Следует иметь в виду перераспределение электронов между всеми орбитами для достижения наиболее устойчивого расположения при наличии двух противоположных тенденций. [22]
При окислительно-восстановительных процессах происходит перераспределение электронов между атомами или ионами участвующих в них веществ. [23]
N - С1 происходит перераспределение электронов в направлении, которое затрудняет отрыв протона от кислорода. [24]
 |
Разрушение подземного сооружения при недостаточной его защищенности. [25] |
Окислительно-восстановительные реакции протекают благодаря перераспределению электронов между реагирующими веществами. [26]
Такое расположение колец препятствует мезомерному перераспределению электронов между азогруппой и бензольными кольцами, и в соответствии с этим Хэмпсон и Робертсон установили, что CN-связи укорачиваются в небольшой степени. [27]
Образование химических связей сопровождается перераспределением электронов. Поэтому очевидно, что относительная электроотрицательность атомов определяет их химические свойства. В табл. 1 приведены значения электроотрицательности ( столбец 10) галоидов [118] в произвольной шкале. Будучи приведены к одной шкале, эти два ряда величин совпадают вполне удовлетворительно. Атом фтора имеет наибольшую электроотрицательность, что и следовало ожидать, принимая во внимание его положение в периодической системе, а также совокупность его химических свойств. [28]
 |
Потенциальная энергия системы двух атомов водорода как функция расстояния г. [29] |
Образование химической связи сопровождается перераспределением электронов внешней оболочки атомов. [30]
Страницы: 1 2 3 4