Подробный анализ

Cтраница 2

Подробный анализ этих режимов показывает, что целесообразнее работать в режиме неполного заряда, при этом уменьшаются размеры силового трансформатора и можно применить менее мощные диоды. [16]

Подробный анализ показывает, что мощность, рассеиваемая на обоих транзисторах, существенно ( примерно в два раза) меньше, чем в схеме с одним транзистором ТР. [17]

Подробный анализ этого вопроса приводится с учетом следующих соображений. [18]

Подробный анализ этих выражений и их применимости сделан Гельферихом. Особенно следует обратить внимание на неправомерность механического переноса порядка химических реакций на кинетику ионообменных процессов. [19]

Подробный анализ показывает, что вещественные значения Xf получаются только в том случае, если поверхность второго порядка представляет собой многомерный эллипсоид. Это означает, в частности, что матрица В должна быть симметричной. [20]

Зависимость коэффициентов теплопроводности в поперечном направлении однонаправленных композиционных материалов на основе эпоксидной смолы и рубленых углеродных волокон от их объемной доли.| Зависимость электропроводности в продольном направлении однонаправленных композиционных материалов на основе эпоксидной смолы и непрерывных и рубленых углеродных волокон при 20 С от их объемной доли. [21]

Подробный анализ приведен в работе [6], а на рис. 7.11 и 7.13 сплошными линиями даны лишь результаты вычислений. [22]

Подробный анализ его теории дан в гл. При таком вращении сегменты макромолекул совершают колебания относительно центров масс, что приводит к диссипации внешней работы. Бики учитывает вязкоупругое поведение сегментов в потоке, которое обусловливается возникновением релаксационного спектра в полимерной системе. Отсюда следует наличие связи аномалии вязкости с вязкоупругостыо и релаксационным спектром полимерных систем. [23]

Подробный анализ этих связей [8] мы опускаем и даем лишь главные выводы из них. Если считать, что AG298 и АЯ298 меньше нуля ( что легко допустить, так как в выражении AG АЯ - T & S при 298 К Т AS играет малую роль), то при повышении температуры при определенных соотношениях знаков а и Ъ в упрощенном выражении мольной теплоемкости Ср - - а - ( - ЬТ, примененном ко всем четырем солям, а в некоторых случаях п при определенных численных соотношениях значений а и Ъ солей, получаются при повышенных температурах следующие четыре возможных хода AG: 1) AG приобретает все большие по абсолютной величине отрицательные значения ( рис. XX. AG при некоторой температуре переходит в область положительных значений ( рис. XX. AG, перейдя в область положительных значений, достигает максимума, затем убывает и возвращается в область отрицательных значений ( рис. XX. SGp, указанные на всех рисунках, - не единственные, которые ведут к изображенному на рис. XX. [24]

Подробный анализ [30] влияния инертных газов показал, что действует также и механизм с участием свободных атомов, который преобладает при более высоких температурах. [25]

Подробный анализ показывает, однако, что полуденные Боуденом тафелевские прямые при i 20 мка слГ2 имеют заметный излом. Аномалии на тафелевских прямых, по Багоцкому и Яблоковой, следует объяснить загрязнениями. [26]

Теоретические высокочастотные ( /, 3 и низкочастотные ( 2, 4 С ( V-зависимости, построенные для однородного ( /, 2 и неоднородного ( 3, 4 МДП конденсаторов с Nd 1015ел - 3. [27]

Подробный анализ этого механизма уширения С ( ш) - зависимостей, проведенный в работе [305], показал, что туннельная модель также способна качественно объяснить наблюдаемую дисперсию проводимости. Таким образом, некритичное применение метода импеданса может привести к большим ошибкам в определении характеристических параметров микронеоднородности МДП конденсатора. [28]

График зависимости коэффициента теплопроводности, теплоемкости, коэффициента линейного расширения и удельного электрического сопротивления окиси бериллия от температуры.| График зависимости коэффициента теплопроводности, теплоемкости и коэффициента линейного расширения двуокиси алюминия от температуры. [29]

Подробный анализ их свойств приводится в специальной технической литературе. [30]

Страницы: 1 2 3 4