Cтраница 1
![]() |
Электростатический высоковольтный генератор Ван-дер - Граафа. [1] |
Переход заряда, сообщенного изнутри полому проводнику, на поверхность проводника остроумно использован в устройстве электростатического генератора Ван-дер - Граафа. [2]
Если переход заряда так велик, что переносу подвергается целый электрон, говорят об ионной связи, но также употребляют в этих случаях и понятие о донорно-акцепторной модели. [3]
При переходе заряда из вакуума в диэлектрик возникает излучение. [4]
Чтобы исключить переход зарядов с прозрачного электрода на фотоэлектрет, между ними помещают тонкую стеклянную пластину. [5]
Такой процесс перехода заряда от одного элемента к другому и соответствующее изменение напряжения будут происходить и в следующие промежутки времени. Когда по верхнему проводу линии происходит распространение положительного заряда, то по нижнему проводу происходит такое же движение отрицательного заряда. Этот процесс распространения зарядов в линии можно мыслить и так: когда каждый следующий элемент верхнего провода получает некоторый положительный заряд, то от со-ответствующего элемента нижнего провода отнимается такой же положительный заряд. [6]
Энергетический эффект перехода заряда от N2 к NO равен разности потенциалов ионизации этих молекул, которая составляет 6 0 эв. Этот выигрыш энергии обусловливает экзотермич-ность реакции. [7]
Это достигается небольшим переходом заряда от одного вещества к другому в момент установления контакта. [8]
![]() |
Значения проводимости для некоторых хорошо проводящих. [9] |
Структура комплексов с переходом заряда и ион радикальных систем позволяет предположить, что проводимость таких соединений будет весьма анизотропна. [10]
При Vi V2 нет перехода зарядов, поэтому теплота не выделяется. Если потенциалы У1 и К2 имеют одинаковые знаки, то теплоты выделяется меньше, чем в случае разных знаков потенциалов. [11]
Работа электрических сил при переходе заряда е с одной поверхности потенциала Va на другую V2, бесконечно близкую к первой, может быть выражена двумя способами. [12]
Образование гомозаряда происходит за счет перехода зарядов с поляризующих электродов в поверхностный слой диэлектрика. [13]
В нормальных шпинелях такой механизм перехода зарядов не возможен, так как двух - и трехвалентные ионы находятся в различных кристаллографических положениях и электроны в них обладают различной энергией; каждый переход электрона требует затраты конечной энергии. [14]
В нормальных шпинелях такой механизм перехода зарядов невозможен, так как двух - и трехвалентные ионы находятся в различных кристаллографических положениях и электроны в них обладают различной энергией; каждый переход электрона требует затраты конечной энергии. [15]