Переход - затвор
Cтраница 1
Переход затвора, очевидно, будет обладать как активным сопротивлением, так и емкостью. Эти участки разделены областью канала, обладающей высоким дифференциальным сопротивлением. Один из участков примыкает к стоку, второй - к истоку. Таким образом, можно считать, что между затвором и стоком и между затвором и истоком действуют параллельные С-цепи, подключенные через объемные сопротивления гс и ги. [1]
 |
Эквивалентная схема униполярного полевого транзистора для переменных составляющих токов и напряжений. [2] |
Строго говоря, канал транзистора и переход затвора нужно было бы представить в виде линий RC с распределенными параметрами, но это, как всегда, затрудняет последующее использование схемы для расчетов. Поэтому на рис. 5 - 22 и канал, и затвор представлены сосредоточенными параметрами. Канал представлен дифференциальным сопротивлением гс и межэлектродной емкостью Сси, которая определяется геометрией и материалом прибора. Сопротивлением г3 часто пренебрегают в связи с его большой величиной; поэтому на рис. 5 - 22 оно показано пунктиром. [3]
 |
Эквивалентная схема униполярного полевого транзистора для переменных составляющих токов и напряжений. [4] |
Строго говоря, канал транзистора и переход затвора нужно было бы представить в виде линий RC с распределенными параметрами, но это, как всегда, затрудняет последующее использование схемы для расчетов. Поэтому на рис. 5 - 24 и канал, и затвор представлены сосредоточенными параметрами. Канал представлен дифференциальным сопротивлением гс и межэлектродной емкостью Сси, величина которой определяется геометрией и материалом прибора. Сопротнв - 1ением г3 часто пренебрегают в связи с его большой величиной; поэтому ia рис. 5 - 24 оно показано пунктиром. Сопротивления истока и стока ( RH и Rc) показаны условно, ак как их влияние ( см. выше, стр. [5]
С той же целью p - n - переход затвора заменяют переходом металл-полупроводник ( барьер Шоттки), который образуется непосредственно под поверхностью электрода затвора и поэтому имеет значительно меньшую глубину залегания и меньшую площадь боковой поверхности. [6]
Подача напряжения данной полярности смещает p - n - переход затвора в обратном направлении. При этом вблизи контакта областей п - и р-типов создается область, обедненная носителями тока. [7]
Рассмотрим выходные вольтамперные характеристик ки полевого транзистора с р-п переходом затвора, у которого распределение легирующей примеси в канале подчиняется линейному закону. [8]
В отечественной литературе унитроны обычно называют полевыми транзисторами с р-п переходом затвора, что несколько длинно и неудобно. [9]
Так как происходит падение напряжения по длине канала, то обратное смещение на переходе затвора не будет постоянным по длине канала. Чем больше расстояние от истока, тем большим будет обратное смещение на переходе, это приводит к тому, что области объемного заряда имеют форму клина. Теперь рассмотрим некоторые детали поведения такой структуры. [10]
 |
Выходные вольт-амперные характеристики полевого транзистора с управляющим р-п-переходом. [11] |
В этом случае изменение проводимости канала осуществляется под действием напряжения, приложенного к р - n - переходам верхнего низкоомного затвора и высокоомной подложки - нижнего затвора. Исключение составляют так называемые транзисторы с расщепленным затвором, имеющие отдельные выводы верхнего и нижнего затворов. Рисунок 2 поясняет принцип действия полевого транзистора с управляющим р - - переходом. Полярность напряжений на рисунке соответствует транзистору с каналом я-типа. Исток обычно заземлен и относительно него измеряют напряжения на стоке и затворе. [12]
 |
Схематическое изображение полевого ( униполярного транзистора. [13] |
Падение напряжения вдоль длины канала, вызванное протеканием тока, приводит к тому, что р - - переход затвора оказывается смещенным в обратном направлении даже при отсутствии t / з-и - При этом величина напряжения, а следовательно, и толщина запирающего слоя, обедненного носителями заряда, будет больше на стороне стока и минимальна на стороне истока. [14]
Изменение вольт-амперных стоко-затворных характеристик транзисторов с р-п переходом после радиоактивного облучения их в реакторе потоками быстрых нейтронов показано на рис. 6.12. При нулевом напряжении на затворе ширина обедненного слоя у р-п перехода затвора минимальная, а ток максимален. [15]
Страницы: 1 2 3