Переход - баз
Cтраница 2
 |
Характеристики плоскостного транзистора типа. [16] |
В этой области переход база - эмиттер работает в прямом направлении и t / о. С О - Переход база - коллектор включен в обратном направлении. В этом режиме работает большинство усилительных схем. [17]
ДТЛ, а переход база - коллектор используется в качестве своеобразного диода смещения. [18]
 |
Принципиальные в эквивалентные схемы диодов ИС. [19] |
Эмиттерный диод с короткозамкнутым переходом база - коллектор ( схема б) работает в режиме к. В этих условиях инжекция носителей через переход коллектор - база отсутствует и в базе устанавливается распределение неосновных носителей, близкое к линейному. [20]
Сигнал на одном переходе база - эмиттер складывается с напряжением 1 / б-э А, а на другом - из него вычитается, что в силу симметрии вызывает приращения токов и потенциалов коллекторов транзисторов 77 и Т2 противоположных знаков. [21]
 |
Схема транзисторного стабилизатора на низкие выходные напряжения.| Схема включения составного транзистора. [22] |
Изменение напряжения на переходе база - эмиттер транзистора 7Р вызывает изменение напряжения на его коллекторе, и выходное напряжение возвращается к своему первоначальному значению. [23]
Конденсатор С4 разряжается через переход база - эмиттер открытого транзистора 72 и сопротивление эмиттер - коллектор открытого транзистора Тл, а также через резисторы RKi, 62 и источники питания. [24]
В этом случае все переходы база - эмиттер транзистора VT1 будут закрыты, а переход коллектор - база транзистора VT1 открыт приложенным в прямом направлении напряжением источника питания. Большой по силе ток базы теперь потечет через открытый переход база - коллектор транзистора VT1 и далее через переход база - эмиттер транзистора VT2, переводя его в режим насыщения. [25]
Одна из моделей рассматривает переход база - коллектор в насыщенном режиме как прямосмещенньтй диод и процесс выхода из насыщения транзистора рассчитывается по формулам, аналогичным формулам для определения длительности полочки при восстановлении обратного сопротивления диодов. [26]
Благодаря этому предотвращается пробой перехода база - эмиттер положительным напряжением, имеющимся на конденсаторе Clf которое при отсутствии делителя может превысить допустимую величину. [27]
Пилообразное напряжение приложено к переходу база - эмиттер усилителя-формирователя ( транзистор Т2), на коллекторе которого выделяются прямоугольные импульсы. Эти импульсы через разделительную емкость С5 поступают на вход ждущего блокинг-генератора. Запускающий импульс блокинг-генератора открывает симистор Ди, в результате чего возникает напряжение на нагрузке. [28]
 |
Вольт-амперная характеристика туннельного диода.| Построение входной характеристики триггера. [29] |
Включение туннельного диода параллельно переходу база - эмиттер позволяет получить на входной характеристике триггера участок с отрицательным сопротивлением. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5