Переход - пары
Cтраница 1
Переход пар - - - - жидкость осуществляется, как и всякий фазовый переход, через стадию дисперсного состояния в виде межфазного слоя. На поверхности поры устанавливается равновесие между адсорбирующимися и десорбирующимися соединениями ( или продуктами реакции), которое в значительной степени зависит от природы и размера ССЕ, попадающих и уходящих с поверхности адсорбционного слоя. Это равновесие обусловливает определенную толщину адсорбционного слоя, в котором под действием силового поля слоя при определенных температурах происходит деструкция молекул при энергиях активации значительно меньших, чем энергия активации деструкции молекул в объемной фазе. Толщина адсорбционных и межфазных слоев зависит от размеров адсорбируемых и десорбируемых ССЕ на поверхности катализатора и влияет на выход и качество получаемых продуктов реакции. [1]
Возникновение субгармоник связано с переходом пар трения в состояние сухого трения. [2]
 |
Изменение во времени разности потенциалов ( а и световой эмиссии разряда при отрыве острня от поверхности по Майеру, Цитту, Полли ( б. [3] |
При Достаточно высоки значения переохлаждения и возникших вследствие переохлаждения пересыщениях переход пар - кристалл происходит с созданием высокодисперсного состояния твердого тела с образованием большой суммарной поверхности границ между твердыми частицами. [4]
Весьма вероятно, что имеется еще один дополнительный фактор, благоприятствующий переходу пар М А - в фазу ионита. [5]
 |
Расчет ВАХ фотодиода. а, б - исходные температурная и световая характеристики. в - ВАХ.| ВАХ фотомагнитодиода.| Оптопара с фотом агнитодиодом.| Структура p - i - n фотодиода. [6] |
Инерционность фотодиода обусловлена главным образом процессами, связанными с разделением полем р - n перехода пар электрон - дырка, возникающих при поглощении излучения. Если излучение поглощается в базе, инерционность ограничивается временем диффузии носителей от зоны их генерации до р - n перехода; при поглощении в обедненном слое фотодиода - временем их дрейфа через обедненный слой. Уменьшение толщины базы с целью сокращения времени пролета целесообразно до 10 мкм. При такой толщине базы в кремниевом фотодиоде оно составляет около 10 - с. Здесь излучение поглощается в i-области, являющейся областью пространственного заряда. Удельное сопротивление собственного кремния ( i-область) в 10е - 107 раз превышает сопротивление легированных областей п - и р-типа. Это обеспечивает высокую электрическую прочность i-области и возможность создавать в ней за счет внешнего смещения большие напряженности электрического поля, благодаря чему время пролета снижается до 10 - 9 с. Собственная емкость такого диода мала благодаря значительной толщине области пространственного заряда. [7]
По-видимому, к вопросу о переходе кристаллического твердого тела в стеклообразное, как и к переходу пар - стекло, нужно подходить более осторожно и детализированно. Ударная волна, бомбардировка нейтронами, различные виды получения пленок вещества из пара действительно превращают кристаллическую разновидность твердого состояния в некристаллическую. [8]
Температуру в конденсирующейся пленке, градиент температуры по толщине, скорость кристаллизации при взрыве можно оценить, считая, что энергия, выделяющаяся при конденсации пленки, равна энергии перехода пар - жидкость и теряется только за счет теплопроводности. [9]
Температуру в коиденсирующейся плевке, градиент температуры по толщине, скорость кристаллизации при взрыве можно оценить, считая, что энергия, выделяющаяся при конденсации пленки, равна энергии перехода пар - жидкость и теряется только за счет теплопроводности. [10]
В отличие от теллура и селена в слоях, легированных цинком, отмечено небольшое повышение концентрации акцепторов, связанное, очевидно, с уменьшением температуры по ходу газа. Поскольку коэффициент перехода пар - кристалл для цинка значительно больше, чем для теллура и даже селена, растущий слой захватывает при уровне легирования 3 - 101и см-а лишь малую часть ( 0 1 %) общего потока примеси. Это обеспечивает высокую однородность легирования по площади. [11]
Свободные d - подуровни способствуют образованию дополнительных nd-p - связей между атомами в стеклообразных халькогенидных сплавах. Дополнительное связывание атомов возникает за счет перехода р-электронных пар от одного атома на свободные d - орбитали другого атома. [12]
Подобие критических явлений в объектах разной природы позволяет рассматривать их с единой точки зрения. В 19 веке наиболее полно были исследованы переходы пар - жидкость и газ - жидкость. В работах Ван-дер - Ваальса, Клаузиуса, Дитеричи было получено приведенное уравнение состояния и сформулирован закон соответственных состояний [12] для приведенных величин. Приведенные значения получают делением количественных значений свойств на критические свойства. [13]
 |
Параметры разложения пероксидных инициаторов.| Объемы активации полимеризации этилена. [14] |
Так, Д1 / ф - 53 см3 / моль и AV - 68 см3 / моль получены при давлениях, которые соответствуют р-фазе этилена с низкой концентрацией бимолекул. В этом случае стадией, определяющей скорость полимеризации, является переход молекулярных пар в бимолекулы. Разница в расчетном молярном объеме бимоле-кулы и молекулярной пары ( 127 6 - 57 1 70 5 см3 / моль) близка к экспериментально определенным объемам активации. [15]
Страницы: 1 2