Переход - прибор
Cтраница 1
Переход прибора из одного устойчивого состояния в другое всегда происходит при кратковременном пересечении нагрузочной прямой с вольт-амперной характеристикой в одной точке противоположного состояния. [1]
Скорость перехода прибора из одного состояния в другое. [2]
 |
Условное обозначение и структурная схема тиристора. [3] |
Два внешних перехода прибора Я ] и Я3 включаются в проводящем направлении, тогда средний переход Я2 оказывается включенным в непроводящем направлении и запирается. В таких условиях сопротивление Я2 относительно велико и на него приходится почти все напряжение, приложенное к входным зажимам тиристора. Третий промежуточный зажим тиристора соединяется с промежуточным слоем. [4]
 |
Условное обозначение и структурная схема тиристора. [5] |
Два внешних перехода прибора П1 и Я3 включаются в проводящем направлении. Средний переход Я2 в этих условиях оказывается включенным в непроводящем направлении и запирается. В таких условиях его сопротивление относительно велико и на него приходится почти все напряжение, приложенное к входным зажимам прибора. [6]
 |
Семейство вольт-амперных характеристик трехэлектродного симметричного тиристора. [7] |
Под процессом выключения понимают переход прибора из проводящего состояния в запертое. [8]
Определяется наибольшая рассеиваемая в переходах прибора мощность РП. [9]
Мощные МДП-транзисторы имеют структуры с индуцированным каналом, в которых для перехода прибора в открытое состояние необходимо осуществить инверсию проводимости канала, расположенного непосредственно под управляющим затвором. Это обеспечивается подачей соответствующего смещения на затвор. Для п-канального транзистора напряжение смещения является положительным, а для р-канального соответственно отрицательным. Рассмотренные типы ячеек относятся к л-канальным транзисторам, которые находят более широкое применение в силу преимуществ электронной проводимости. Положительное напряжение на затворе наводит в слое диэлектрика, изолирующего затвор от канала, электрическое поле, которое притягивает из глубины р-области электроны По мере накопления этих электронов в приповерхностной части р-области происходит инверсия проводимости, т.е. образование обогащенного электронами канала. При этом между стоком и истоком транзистора образуется свободный канал Для протекания рабочего тока Открытое состояние ключа характеризуется прямым падением напряжения между стоком и истоком, которое в свою очередь зависит от сопротивления открытого канала. [10]
 |
Типовая схема ключа на тринисторе ( а и эпюры напряжения и тока при его включении ( б. [11] |
Для широкого класса схем первостепенное значение имеет уменьшение времени включения i, характеризующего переход прибора из состояния с низкой проводимостью в состояние с высокой проводимостью. [12]
Выключение по коллектору [23, 30-33], когда коллекторное напряжение уменьшается до величины, обеспечивающей переход прибора в закрытое состояние. Обычно для уменьшения времени рассасывания на коллектор подается смещение обратной полярности. [13]
Выключение по коллектору [23, 30-33], когда коллекторное напряжение уменьшается до величины, обеспечивающей переход прибора в закрытое состояние. Обычно для уменьшения времени рассасывания на коллектор подается смещение обратной полярности. [14]
Экспериментально установлено, что деградация параметров приборов увеличивается, если в процессе испытаний ( особенно при высокой температуре) к переходам прибора приложено большое напряжение. [15]
Страницы: 1 2