Переход - схема
Cтраница 1
Переход схемы из одного равновесного состояния в другое осуществляется под воздействием изменяющегося внешнего сигнала. Пусть схема находится в равновесном состоянии, которому соответствует некоторая точка P [ k), расположенная на участке а Ъ характеристики рассматриваемого нелинейного элемента. [1]
Переход схемы от одного состояния к другому обусловлен срабатываниями ( изменениями положений) одного или нескольких золотников схемы, причем эти срабатывания протекают в строго определенной последовательности. [2]
Переход схемы из одного устойчивого состояния в другое осуществляется при отпирании или запирании лампы Л6 синусоидальным напряжением азимутальной развертки, снимаемым с сопротивления R2j - При этом на аноде лампы Л7 образуются положительные и отрицательные импульсы, которые подаются на катод трубки. Напряжение на катоде устанавливается потенциометром регулировки яркости 24 таким, что трубка отпирается лишь тогда, когда на катод поступает отрицательный импульс подсвета прямого хода азимутальной развертки. [3]
Переход схемы, показанной на рис. 3.12 е, из состояния 1 в состояние О при изменении входного напряжения происходит следующим образом. При возрастании напряжения на входе МЭТ растет напряжение и на его базе, отличаясь от входного на значение f / вэм, причем ток, вытекающий из входной цепи, уменьшается, а ток / 2, втекающий в базу транзистора 7, увеличивается. Учитывая, что при переключении тока /, потенциалы на переходах МЭТ меняются незначительно, а значения их приблизительно одинаковы, можно сделать вывод, что напряжение базы транзистора 7 примерно равно входному напряжению и следит за ним при изменении последнего. [4]
Переход схемы УРТС-100 / 600 в положение сквозного набора происходит автоматически после вставления телефонисткой вызывного штепселя в гнездо соответствующего комплекта соединительной линии. [5]
Поэтому переход схемы из одного состояние в другое происходит не мгновенно ( как мы предполагали раньше), а занимает некоторое время. Чем больше крутизна ламп S, меньше величина паразитных емкостей и меньше сопротивления, через которые происходит их перезаряд ( внутреннее сопротивление открытой лампы, сопротивление анодной нагрузки), тем круче фронты импульсов выходного напряжения. [6]
При переходе схемы в фазу РИ входной сигнал не подается на интегратор. К нему с помощью аналоговых переключателей блока / подключается опорный конденсатор, заряженный до значения опорного напряжения и ориентированный по знаку заряда так, чтобы происходил разряд интегрирующего конденсатора. В этот момент компаратор / / / срабатывает и прекращает фазу РИ. [7]
Если рассматривать только переход схемы из одного состояния в другое, то для этого нужно лишь, чтобы передний фронт импульса перевел рабочую точку диода эмиттер - база на участок, где идет прямой ток. Однако для устойчивого перевода схемы из одного состояния в другое нужно иметь импульс хорошей формы с крутым передним фронтом. [8]
Как происходит процесс перехода схемы триггера из одного устойчивого состояния в другое. [9]
 |
Бистабиль-ная схема на элементах ИЛИ-НЕ и ее карта Вейча. [10] |
Эту функцию называют функцией переходов бистабильной схемы на элементах И - НЕ, а совместно с условием хг J хг - 1 называют характеристическими уравнениями бистабильной схемы. [11]
При каком входном напряжении происходит переход схемы, моделирующей гистерезисные характеристики, из одного устойчивого состояния в другое. [12]
 |
Фазочувствительный выпрямитель ПТР-3. [13] |
За счет наличия обратной связи переход схемы из одного состояния в другое происходит скачкообразно. [14]
Скорость переключения ограничивается тем, что переход схемы, например триггера, из одного состояния в другое происходит с некоторым запаздыванием. В триггерах такое явление называют явлением засыпания. Сущность явления засыпания заключается в следующем. При большой амплитуде сигнала, когда транзистор находится в режиме насыщения тока, главную роль илрает эффект иакопления неосновных носителей зарядов. В этом случае напряжение на коллекторе мало, на границе база - коллектор скапливается большое количество неосновных носителей и ток коллектора не зависит от величины тока эмиттера. При резком изменении тока эмиттера изменения тока коллектора запаздывают, так как требуется время, чтобы рассосались неосновные носители. Когда входной импульс тока велик, транзистор может оставаться в состоянии насыщения в течение значительного времени после окончания импульса и переключение схемы запаздывает относительно спада импульса. [15]
Страницы: 1 2 3 4