Переход - рабочая точка
Cтраница 4
 |
Условные обозначения и характеристики. а - кремниевого стабилитрона. б - туннельного диода. [46] |
Указанный участок обусловлен внутренней положительной обратной связью у диода. Поэтому при работе диода в прямом направлении при токе / происходит релейный переход рабочей точки на характеристике из положения а в положение Ь, сопровождающийся скачкообразным изменением прямого напряжения от U до U при неизменном токе Гпр. [47]
 |
Временные диаграммы напряжений в схеме симметричного мультивибратора на транзисторах.| Схема мультивибратора на транзисторах для получения почти прямоугольных выходных импульсов. [48] |
Для получения при заданном периоде Т колебаний формы кривой uK ( t), близкой к прямоугольной, нужно уменьшать величину RK. Однако это приводит, как видно из рис. 12.9, к переходу рабочей точки на пологий участок характеристики и к нестабильности параметров схемы: рабочей частоты и амплитуды импульсов. [49]
В силу согласованного по знакам увеличения базового и коллекторного токов в триоде развивается прямой блокинг-процесс. Этот процесс завершается при насыщении триода, что имеет место еще до перехода рабочей точки на вертикальный участок кривой намагничивания либо одновременно с этим переходом. [50]
 |
Упрощенная эквивалентная схема цепей транзистора-ключа в состоянии включено.| Переходные искажения. [51] |
Задержка начала выключения обусловлена присутствием в области базы избыточного количества неравновесных носителей в связи с насыщением. Лишь после того как произойдет их рассасывание и их распределение будет соответствовать переходу рабочей точки в активную область, начинается спад коллекторного тока. Рассасывание избыточных носителей происходит за счет рекомбинации и тока базы 1ц2 обратного направления. [52]
Задержка начала выключения обусловлена присутствием в области базы избыточного количества неравновесных носителей, накопленных в режиме насыщения. Только после того, как произойдет их рассасывание и распределение неосновных носителей будет соответствовать переходу рабочей точки в активную область, начинается спад коллекторного тока. Рассасывание избыточных носителей происходит за счет рекомбинации и протекания тока базы / вз в обратном направлении. [53]
В моменты появления модулирующего напряжения последовательно с напряжением батареи EQ к аноду лампы через вторичную обмотку Тр НЧ подключается модулирующее напряжение НЧ. В результате изменения анодного напряжения от ЕЛ - - UQ до Ea - UQ происходит переход рабочей точки А на соответствующие статические характеристики лампы, вследствие чего изменяются величины импульсов анодного тока и углы отсечки б, а следовательно, и амплитуды тока га, текущего в контуре. [54]
Отрицательная обратная связь функционирует только при работе триода в усилительном режиме. Поэтому во время действия запирающего импульса, когда напряжение на коллекторе по абсолютной величине уменьшается, должна быть исключена вероятность перехода рабочей точки в область насыщения. [55]
При измерении / Е и / в запоминающее устройство выдает линейно-нарастающее напряжение, которое при помощи регулируемого источника тока задает ток через измеряемый диод. С другой стороны на диод из схемы сброса подается ток противоположной полярности. При переходе рабочей точки с падающей ветви на восходящую происходит скачок напряжения, на который реагирует анализатор. Ток, протекающий в цепи диода, измеряется индикатором. При измерении Ua, Us и UfV анализатор отключается от запоминающего устройства, а к измеряемому диоду подключается индикатор. [56]
При конечной полосе пропускания элементов цепи обратной связи вскоре после включения источника питания устанавливается стационарный режим, при котором уменьшение длительности импульса, вызываемое укорачивающим действием усилителя, равно расширению импульса, обусловленному его прохождением через элементы цепи обратной связи с конечной полосой пропускания. Причиной укорочения импульса является не только нелинейное усиление, но и ограничение. Дело в том, что при увеличении амплитуды входных импульсов положительной полярности среднее значение тока эмиттера уменьшается, что приводит к уменьшению отрицательного смещения на эмиттере и к переходу рабочей точки в область насыщения. [57]
К - коэффициент усиления лампы Л, а Дцс, - величина повышения напряжения на управляющей сетке лампы. Она может быть выбрана значительно большей требуемой длительности задержки. По этой причине ток через сопротивление Rc остается почти постоянным и обеспечивает приблизительно постоянную скорость заряда конденсатора Ct и близкое к линейному уменьшение напряжения на аноде со временем. Указанный процесс продолжается до момента перехода рабочей точки на линию критического режима анодной характеристики лампы, после чего напряжение на аноде больше не уменьшается при увеличении напряжения на управляющей сетке. В этот момент эффективная постоянная времени цепи управляющей сетки резко уменьшается до значения RcCt. Скорость заряда конденсатора Ci повышается и становится больше первоначальной скорости в К 1 раз. В результате происходит резкое увеличение тока экранирующей сетки, вызывающее падение напряжения на ней и на защитной сетке. Анодный ток лампы уменьшается, и напряжение на ее аноде увеличивается. Повышение напряжения на аноде передается через конденсатор С, на управляющую сетку. В результате нарастающего процесса опрокидывания лампа возвращается в исходное состояние покоя. [58]
Как и обычные полупроводниковые диоды, кремниевые стабилитроны в зависимости от величины и полярности приложенного к ним напряжения могут иметь большое или малое сопротивление. Это позволяет использовать кремниевые диоды в переключающих и релейных схемах. Время перехода рабочей точки с участка вольт-амперной характеристики с низкой проводимостью для обычных диодов относительно велико и лежит в пределах от нескольких десятых долей микросекунды до нескольких микросекунд в зависимости от типа прибора. Это время значительно сокращается ( до 10 - - 1СГ11 сек), если переключение производить около точки вольт-амперной характеристики, соответствующей началу пробоя, используя лавинное нарастание тока при пробое. [59]
 |
Распределение неравновесной концентрации в базе транзистора, находящегося в режиме насыщения при запирании эмиттерно-го перехода. [60] |
Страницы: 1 2 3 4 5