Рассматриваемый переход
Cтраница 1
Рассматриваемые переходы происходят в тем менее широком интервале темн-р, чем больше кооператпв-ность системы. Сам по себе факт существования температурного интервала перехода еще не дает основания подвергать сомнению фазовую природу конфор-мациопиых превращений. Теоретически кристаллизация в одномерных системах невозможна. Однако даже в случае линейно-кристаллических систем следует помнить, что у спирали гтлп кросс - 5-формы есть протяженность в трех измерениях. Истинным критерием природы перехода является его конформационная прерывность ( в смысле рис. 12), к-рая никак не противоречит модифицированному правилу фаз Гиббса. [2]
Рассматриваемые переходы происходят в тем менее широком интервале темп-р, чем больше кооператив-ность системы. Сам по себе факт существования температурного интервала перехода еще не дает основания подвергать сомнению фазовую природу конфор-мационных превращений. Теоретически кристаллизация в одномерных системах невозможна. Однако даже в случае линейно-кристаллических систем следует помнить, что у спирали или кросс - - формы есть протяженность в трех измерениях. Истинным критерием природы перехода является его конформационная прерывность ( в смысле рис. 12), к-рая никак не противоречит модифицированному правилу фаз Гиббса. [4]
Рассматриваемый переход определяется поляризационным захватом иона атомом и последующим распадом комплекса с образованием иона в данном вращательном состоянии. [5]
Для рассматриваемого перехода / - компонента матричного элемента соответствует полносимметричному типу, следовательно, пе -) еход разрешен правилами симметрии. [6]
В рассматриваемых переходах участвуют в общем случае три частицы: фотон, электрон и фонон. [7]
При рассматриваемом переходе необходимо соблюдать условие: в частном случае действия постоянных напряжений критерий длительной прочности должен цереходить в критерий кратковременной прочности, если продолжительность действия напряжений определяется некоторым характерным промежутком времени, в течение которого и можно считать справедливым критерий кратковременной прочности. [8]
Так как рассматриваемые переходы разрешены для дипольного магнитного поглощения, магнитный момент цшгн имеет, по-видимому, довольно большую величину и остается постоянным для всех комплексов. При таком предположении путем деления R на УД / ( ссцэл) мы получаем величину, пропорциональную cos v для комплексов трис - Епи трис - Тп. [9]
Если вероятность рассматриваемого перехода не равна нулю, то по крайней мере одна из компонент Ртп должна отличаться от нуля; если все три компоненты равны нулю, то такой переход не может произойти, и в спектре будет отсутствовать соответствующая линия. [10]
 |
Построение развертки перехода с круглого на прямоугольное сечение. [11] |
Построение развертки рассматриваемого перехода выполняют точно так же, как и в предыдущих примерах. [12]
Если для рассматриваемого перехода матричные компоненты этих операторов известны, то расчет спектра кристалла в принципе не отличается от расчета, в котором преобладают дипольные эффекты, однако практически он более затруднителен по двум причинам. Во-первых, решеточные взаимодействия зависят от сумм диполь-октупольных и октуполь-октупольных взаимодействий, которые рассчитать сложнее, чем диполь-дипольные суммы, и, во-вторых, не найден метод измерения момента октупольного перехода в свободной молекуле. Таким образом, практически нецелесообразно рассчитывать спектр кристалла из наблюдаемых констант свободной молекулы. [13]
 |
Полупроводник электронного типа ( / со слоями изолятора ( 2 и металла ( 3 и энергетическая диаграмма при наличии обратного смещения. [14] |
Поэтому емкость рассматриваемого перехода в отличие от емкости обычного электронно-дырочного перехода не шунтируется омическим сопротивлением. [15]
Страницы: 1 2 3 4