Эмиттерный переход - транзистор
Cтраница 1
Эмиттерный переход транзистора заперт. Через кремниевый стержень от EZ к Bt течет межбазовый ток. [1]
Эмиттерный переход транзистора при работе усилителя всегда открыт и во входной цепи протекает ток / Б; следовательно, источник входного напряжения всегда расходует мощность. Постоянную составляющую создает источник смещения, а переменную - источник входного напряжения. [2]
Эмиттерный переход транзистора заперт. Через кремниевый стержень от Бг к Б1 течет межбазовый ток. [3]
Эмиттерный переход транзистора [1 ] с точки зрения изменения напряжения базы с изменением температуры может быть уподоблен простому диодному р-п переходу, для которого напряжение уменьшается с увеличением температуры примерно на 1 5 - 2 5 мв / С, причем тем меньше, чем больше величина прямого тока. Для маломощных германиевых транзисторов типов МП13 - МП16, МП25 - МП26 при токе эмиттера 1 - 10 ма у бяа - ( 2, 5ч - 2) мв / С, разброс уиб от образца к образцу составляет 0 1 - 0 3 мвГ С. Для мощных транзисторов типов П210, П4, П214 - П217 при токе 0 1 - 1 а у б лежит в пределах - ( 1 9ч - 1 3) мв / С. [4]
 |
Модифицированные варианты интегральных ячеек ДТЛ.| Усовершенствованные варианты выходных цепей ячейки ДТЛ. [5] |
Эмиттерный переход транзистора Г2 играет роль диода смещения, а вносимое им усиление по току увеличивает коэффициент разветвления и ( на некоторых этапах переходных процессов) быстродействие ячейки. [6]
Эмиттерный переход транзистора вместе с нагрузкой, состоящей из резисторов R3, R и конденсаторов Сь Сг, используют для детектирования сигнала. Раздельная нагрузка способствует увеличению входного сопротивления детектора, улучшению фильтрации несущей частоты и снижению искажений детектируемого сигнала. Низкочастотная составляющая с выхода детектора ( вывод 9) может быть подана через разделительный конденсатор на вход усилителя НЧ. [7]
Эмиттерный переход транзистора 7 используется в качестве диода, преобразующего модулированный ВЧ ( ПЧ) сигнал в низкочастотный, а коллекторный переход - в качестве диодного детектора схемы АРУ. [8]
Эмиттерный переход транзистора Г5 на этой стадии тю-прежнему остается смещенным в обратном направлении. Поэтому в базе транзистора Г5 продолжается накопление заряда за счет протекания тока через прямо смещенный коллекторный переход. [9]
Когда эмиттерный переход транзистора типа р-п - р открыт, дырки перемещаются из эмиттера в базу. [10]
 |
Схема простейшего усилителя на транзисторе ( с общим эмиттером.| Построение выходной динамической характеристики транзистора. [11] |
Так как эмиттерный переход транзистора при работе усилителя всегда открыт, то во входной цепи протекает ток / д и, следовательно, источник входного напряжения всегда расходует мощность. При одновременном воздействии на участок база - эмиттер двух напряжений EQ и UmS в цепи базы протекает пульсирующий ток. Постоянную составляющую создает источник смещения, а переменную - источник входного напряжения. [12]
Диод VD7 защищает эмиттерный переход транзистора VT7 в том случае, когда движок переменного резистора R17 быстро перемещают вниз по схеме. При этом остаточное напряжение на конденсаторе С7 и емкости нагрузки будет приложено к эмиттерному переходу транзистора. Если этот транзистор сплавной, допускающий обратное напряжение на эмиттере большее или равное напряжению на конденсаторах С1 и С2, то диод VD7 можно изъять. Для предотвращения выгорания резистивной дорожки переменного резистора Я77в цепь движка включен резистор R18, ограничивающий ток разрядки конденсатора С7 и емкости нагрузки. [13]
При сплавно-диффузионном методе эмиттерный переход транзистора создается по сплавной технологии, а база - по диффузионной. Обе операции обычно осуществляются одновременно. Для этого, например, в пластинку германия со слабовыраженной р-проводи-мостью вплавляется акцепторное вещество, содержащее примесь донорного вещества, которое хорошо проникает в германий. При сплавлении акцепторы насыщают расплав под каплей, а доноры диффундируют глубже, образуя под расплавом область базы. Распределение эквивалентной примеси вдоль структуры сплавно-диффузионного транзистора показано на рис. 3 - 3, г. Эмиттерный переход получается резким, как у сплавного транзистора, а коллекторный - плавным, как у диффузионного. [14]
При сплавно-диффузионном методе эмиттерный переход транзистора создается по сплавной технологии, а база - по диффузионной. Обе операции обычно осуществляются одновременно. Для этого, например, в пластинку германия со слабовыраженной р-проводи-мостью вплавляется акцепторное вещество, содержащее примесь донорного вещества, которое, хорошо проникает в германий. При сплавлении акцепторы насыщают расплав под каплей, а доноры диффундируют глубже, образуя под расплавом область базы. Распределение эквивалентной примеси вдоль структуры сплавно-диффузионного транзистора показано на рис. 3 - 3, г. Эмиттерный переход получается резким, как у сплавного транзистора, а коллекторный - плавным, как у диффузионного. [15]
Страницы: 1 2 3 4