Плоскостной переход
Cтраница 2
В выпрямительных диодах большой и средней мощности низкой частоты ( предельная частота не выше 50 кГц) используются плоскостные переходы. [16]
 |
Конструкция точечного р-п перехода.| Конструкция планарно-эпитаксиального диода. [17] |
По конструктивному признаку р-п переходы можно разделить на плоскостные и точечные. Плоскостным переходом называется электрический переход, у которого линейные размеры, определяющие его площадь, значительно больше толщины. Симметричным р-п переход сделать труднее, поэтому чаще всего диоды изготовляются с несимметричными переходами. [18]
 |
Устройство различных ния при повышении темпера-типов полупроводниковых дао - туры т 0 с обратный ток дов. а-плоскостного. о - Jf g v. [19] |
Полупроводниковый диод представляет собой кристалл полупроводника с одним р-л-переходом, и все параметры диода определяются свойствами использованного в нем перехода. В плоскостном переходе независимо от способа его получения площадь запорного слоя больше, чем в точечном переходе, и поэтому собственная емкость плоскостных диодов всегда превышает собственную емкость точечных диодов. Так, если емкость мощных плоскостных диодов достигает величины нескольких сотен пикофарад, то емкость точечных диодов составляет единицы пикофарад и даже доли пикофа-рады. В то же время при большей площади перехода через диод могут проходить большей величины токи. Исходя из этого, плоскостные диоды применяются в основном для выпрямления переменных токов низких частот. Точечные дис-ды могут работать в широком диапазоне частот и наиболее часто используются для детектирования высокочастотных сигналов. [20]
Для преобразовательных установок, работающих на частотах до 50 - 100 кГц, выпускаются силовые диоды с уменьшенной емкостью перехода. Тем не менее плоскостные переходы диодов ограничивают диапазон рабочих частот и скорость переключения различных импульсных установок. [21]
Работа большинства полупроводниковых приборов основана на образовании электронно-дырочного перехода ( р - w - перехода) при контакте полупроводниковых слоев с противоположным типом проводимости. Наиболее широко применяются плоскостные переходы, линейные размеры которых значительно превышают их толщину. [22]
В настоящее время выпускается большое число различных типов диодов, принципиально отличающихся друг от друга как по назначению, так и по конструкции и технологии изготовления. Различают диоды с точечными и плоскостными переходами. [23]
 |
Упрощенная ( пассивп. я эквивалентная схема транзистора и график, поясняющий ее работу. [24] |
При подаче входного сигнала транзистор переводится из одного состояния в другое. Это иллюстрируется рис. 3.5, где высокие сопротивления закрытых р-п-переходов представлены в виде разомкнутых ключей, а низкие сопротивления открытых плоскостных переходов - в виде замкнутых ключей. [25]
Страницы: 1 2