Сегнетоэлектрический переход - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Коэффициент интеллектуального развития коллектива равен низшему коэффициенту участника коллектива, поделенному на количество членов коллектива. Законы Мерфи (еще...)

Сегнетоэлектрический переход

Cтраница 1


Сегнетоэлектрический переход, в выражение (5.31) следует добавить члены, описывающие взаимодействия между цепями, которые предположительно являются слабыми и дальнодействующими и могут рассматриваться в приближении молекулярного поля.  [1]

Сегнетоэлектрический переход происходит при температуре, характеризующейся изменением спонтанной поляризованное P.  [2]

При сегнетоэлектрическом переходе неполярный кристалл становится спонтанно поляризованным. Как правило, неполярная фаза является более высокотемпературной, чем полярная. Сегнето-электрические переходы могут быть близки к модели ФП как первого, так и второго рода, причем почти в каждом сегнетоэлектрическом кристалле ФП имеет свои особенности. Целесообразно поэтому остановиться на рассмотрении лишь наиболее обших явлений, связанных с ФП в сегнетоэлектриках.  [3]

В обычном сегнетоэлектрическом переходе, когда изменение симметрии полностью определяется вектором поляризации, переход происходит в высшую ( из числа допускающих пироэлектричество) подгруппу пространственной группы исходной ( непироэлектрической) фазы. При несобственном же сегнетоэлектрическом переходе пироэлектрическая фаза относится к подгруппе более низкой симметрии.  [4]

Отметим, что несобственный сегнетоэлектрический переход возможен только при многокомпонентных параметрах порядка. Но это означало бы, что ц и Pz совпадают по своим трансформационным свойствам, так что Pz и само могло бы быть выбрано в качестве параметра порядка.  [5]

Таким образом, при несобственном сегнетоэлектрическом переходе образуются как границы, отделяющие домены с разной поляризацией, так и антифазные границы. Одним из наиболее изученных переходов такого типа является упорядочение в сплавах. Термин антифазная граница возник именно в этой области.  [6]

Но существуют также и такие сегнетоэлектрические переходы, в которых параметр порядка преобразуется по неприводимому представлению симметричной фазы, не отвечающему компонентам вектора.  [7]

Исследование с помощью рассеяния нейтронов [35] сегнетоэлектрического перехода в CsD2PO4 показало квазиупругое диффузное распределение интенсивности, характерное для одномерной системы с цепным упорядочением, параллельным сегнетоэлектрической оси b этого моноклинного кристалла. Такая структура резко отличается от тетрагональной структуры KD2PO4, в которой рассеяние обнаруживает характерные признаки трехмерной диполь-ной системы.  [8]

Для образцов из нестехиометри-ческих расплавов при температуре сегнетоэлектрического перехода величины е, как правило, были еще выше.  [9]

По мнению Девиссона, никаких изменений путей пробоя вблизи температуры сегнетоэлектрического перехода не наблюдается. Пути в колеманите ( § 2 - 12) не изменяются вблизи - 2 5 С, хотя при этой температуре появляются сильно выраженные пики в кривых диэлектрической проницаемости и пироэлектрических постоянных, а электромеханическая связь становится подобно той, которая наблюдается в кварце. Картина путей разряда не обусловлена присутствием значительной электромеханической связи.  [10]

Потенциал (3.25) Может быть использован для описания диэлектрических аномалий при сегнетоэлектрических переходах из фазы с. Конкретный анализ диэлектрических свойств этих кристаллов несколько усложняется в связи с тем, что переход из кубической в несимметричную тетрагональную фазу является переходом I рода, близким к переходам II рода, к рассмотрению которых мы переходим.  [11]

Из феноменологического описания КТН следует, что замещение ионов Nb на ионы Та изменяет природу сегнетоэлектрического перехода первого рода, и он становится переходом второго рода. В этом случае, согласно (2.6), величина етах становится бесконечно большой, но экспериментальное значение етах имеет конечную величину вследствие негомогенности образца, недостаточно высокого качества электродов и конечной величины амплитуды измеряемого сигнала.  [12]

Изучение направленного пробоя в кристаллах сегнетоэлектриков представляет интерес, так как в этих кристаллах вблизи температур сегнетоэлектрического перехода наблюдаются заметные изменения электрических и электромеханических свойств.  [13]

Следует заметить, что, по данным вычислений Кокрена [425], в КН2РО4 частота колебания, связанного с сегнетоэлектрическим переходом, должна изменяться от 85 сиг1 при комнатной температуре до 14 см 1 в точке перехода. Наблюдавшийся в [429] эффект в отношении величины смещения плохо согласуется с теорией.  [14]

Таким образом, используя простое предположение о температурной зависимости произведения па0 и формулу Лорентца для внутреннего поля, мы легко приходим к выводу о существовании сегнетоэлектрического перехода ( см. ниже) и к закону Кюри - Вейса: для всякого сегнетоэлектрика, испытывающего переход второго рода, существует такая температура Т 0 ( температура Кюри - Вейса), при которой его сегнетоэлектрические свойства исчезают.  [15]



Страницы:      1    2    3