Cтраница 3
Максимально допустимые напряжения ограничиваются пробивными напряжениями соответствующих переходов, максимально допустимые мощности и ток ограничиваются максимальной температурой перехода и тепловым пробоем. Максимально допустимая мощность транзистора определяется в основном мощностью коллекторного перехода Ркмакс, так как мощность, выделяющаяся в эмиттерном переходе, относительно мала. Величина Ркмакс рассчитывается по формулам ( 2 - 19) или ( 2 - 20) как максимально допустимая мощность полупроводникового диода. На рис. 3 - 15 6 показано семейство статических выходных характеристик транзистора в схеме с ОЭ с нанесенными на них границами максимально допустимых режимов. [31]
Максимально допустимые напряжения ограничиваются пробивными напряжениями соответствующих переходов, максимально допустимые мощности и ток ограничиваются максимальной температурой перехода и тепловым пробоем. Максимально допустимая мощность транзистора определяется в основном мощностью коллекторного перехода Ркмаке, так как мощность, выделяющаяся в эмиттерном переходе, относительно мала. Величина Ркмакс рассчитывается по формулам ( 2 - 19) или ( 2 - 20) как максимально допустимая мощность полупроводникового диода. На рис. 3 - 15 6 показано семейство статических выходных характеристик транзистора в схеме с ОЭ с нанесенными на них границами максимально допустимых режимов. [32]
Это связано со сравнительно высокой энтальпией соответствующего перехода у НЖК данного класса, составляющей более 13 - 19 кДж / моль. Энтальпия перехода должна возрастать по мере увеличения асимметричности молекул компонентов, приводящего к росту их дипольных моментов и усилению межмолекулярного взаимодействия. [33]
Схема ключа тран-зистора с ОЭ. [34] |
Максимально допустимые напряжения ограничиваются пробивными напряжениями соответствующих переходов, максимально допустимые мощность и ток ограничиваются максимальной температурой перехода и тепловым пробоем. На рис. 4.29 приведено семейство вольт-амперных характеристик с нанесенными на них максимально допустимыми режимами. [35]
Максимально допустимые напряжения ограничиваются пробивными напряжениями соответствующих переходов, максимально допустимые мощность и ток ограничиваются максимальной температурой перехода и тепловым пробоем. На рис. 4.28, а приведено семейство вольт-амперных характеристик с нанесенными на них максимально допустимыми режимами. [36]
Последняя определяется направлением вектора дипольного момента соответствующего перехода. [37]
Уровни энергии молекулы пиридина. [ IMAGE ] Спектр поглощения пиридина.| Спектры поглощения ароматических и гетероароматических соединений. [38] |
МОХ) очень близка к энергии соответствующего перехода в молекуле бензола ( А. Вследствие этого наблюдается большое сходство спектров поглощения бензола и пиридина ( рис. 16; ср. [39]
Значительно больший набор времен релаксации и соответствующих переходов наблюдается для олигоэфиракрилатов регулярного строения. Наряду с переходами, связанными с движением атомных групп и сегментов, обнаруживается локальное движение звеньев в главных макроцепях и в олигомерном блоке. Это свидетельствует о более широком наборе кинетических единиц в олигомерах регулярного строения и большем разнообразии внутри - и межмолекулярных взаимодействий. Для олигоэфиракрилатов характерно совмещение различных форм молекулярного движения и совместное проявление их в широком температурном интервале даже в случае монодисперсных систем. Это обусловлено широким набором групп с различными потенциалами вращения, что позволяет реализовать множество переходов от одного поворотного изомера к другому. [40]
Буква А обозначает, что для соответствующего перехода и соединения эффект обнаруживался в геометрии пропускания; S указывает на использование метода рассеяния. Из таблицы видно, что только для Eu, Dy и в меньшей степени для Тт при помощи эффекта Мессбауэра было исследовано сравнительно большое количество соединений. [41]
Эта вероятность отлична от нуля, и соответствующий переход возможен. [42]
Напротив, в полупроводнике вследствие принципа Паули соответствующий переход может иметь место только при условии, что верхний уровень заселен, а нижний уровень не заселен. [43]
Изменение некоторых упруго-динамических характеристик сульфидов вдоль. [44] |
Приведенные разницы потенциалов только качественно характеризуют энергии соответствующих переходов. [45]