Начальный период - рост
Cтраница 4
Обеспечение растений N РК в начальные периоды роста благоприятно сказалось не только на урожайности, но и качестве свеклы. [46]
Концентрация примеси или активатора сильно зависит от того, как протекает затвердевание в процессе выращивания кристалла из жидкой фазы. При нормальной кристаллизации посредством консервативного процесса в начальный период роста весь материал представляет собой жидкую фазу и твердая фаза кристаллизуется из жидкости на определенной поверхности в пересыщенном растворе. В итоге граница раздела между твердой и жидкой фазами перемещается через расплав контролируемым образом. [47]
С увеличением давления скорость роста пузырьков значительно уменьшается, так как растет плотность пара в них. Следовательно, снижается влияние инерционных сил даже в начальный период роста пузырьков. Они все время сохраняют сферическую форму. В этом случае схема с микрослоем и полусферическим пузырем не отвечает реальной картине. Тем не менее результаты расчета по формуле (8.24) при кипении воды ( ps 1 - - 100 бар) на серебряной поверхности ( Л2 - - 0), как показано в работе Д. А. Лабунцова, удовлетворительно совпадают с данными эксперимента. [48]
Рост более дефектных слоев обусловлен изменением величины пересыщения в начальный период роста слоя из раствора-расплава до момента образования диффузионной области. [50]
Синтетические аметисты характеризуются повышенной плотностью ростовых дислокаций ( р - 105 см-2) по сравнению с кристаллами, выращенными из растворов карбоната и гидроокиси натрия, а также интенсивными дофинейскими двойникованиями. Массовое зарождение дислокаций стимулируется выпаданием на поверхность затравки в начальный период роста твердых включений, чаще всего гидроксидов железа, переносимых конвекционными потоками раствора в камеру кристаллизации из шихтовой смеси. Поскольку синтез аметиста осуществляется из сильно пересыщенных растворов ( при температурных перепадах до 20 С) на сравнительно медленно растущие затравочные пластины, в системе, особенно в длительных ( свыше 40 - 50 сут) циклах кристаллизации, зарождаются спонтанно и переносятся на ростовые поверхности микроскопические кристаллы кварца. Часть из них, закономерно прирастая к деловым кристаллам, дает начало двойниковым вросткам, которые клинообразно, в виде тригональных пирамид, обращенных вершинами к затравке, разрастаются тангенциально по мере продвижения фронта роста г-грани. В природных кристаллах аметиста двойники также пользуются большим распространением, и присутствие их в синтетических аметистах не только не снижает качество кристаллосырья, но и, наоборот, приближает его по морфологическим признакам к натуральным камням. [51]
Структура пленок GaAs, растущих на германии, в существенной мере определяется соотношением Ga и As в газовой фазе. Совершенные пленки можно получить лишь при условии, что в начальный период роста газовая фаза содержит избыток мышьяка. В противном случае пленки обладают блочной структурой и возможно даже осаждение чистого галлия. Поэтому авторы работы [44] рекомендуют создать перед переносом хлорида галлия у подложки атмосферу, содержащую мышьяк и хлористый водород. [52]
Сопоставление предельных оценок с результатами эксперимента указывает на преобладающее влияние инерционных сил жидкости ( схема а) в области малых размеров пузыря и при низких давлениях. Влияние вязкости может проявиться лишь при больших ее значениях в начальный период роста пузыря. [53]
Страницы: 1 2 3 4