Периодичность - расположение
Cтраница 2
Реальный металлический кристалл всегда имеет большое количество дефектов кристаллического строения, которые нарушают периодичность расположения атомов в кристаллической решетке. Дефекты оказывают значительное влияние на свойства металла. По геометрическим признакам они подразделяются на точечные, линейные и поверхностные. [16]
При облучении кристаллических тел быстрыми нейтронами или под действием сильно ускоренных ионов ( ионная имплантация) нарушается периодичность расположения атомов в узлах кристаллической решетки. Глубина проникновения заряженных частиц ограничивается приповерхностной областью, так как внедряющийся ион теряет свою энергию в результате последовательных столкновений с атомами в поверхностном слое мишени. [17]
Вначале мы будем представлять себе кристаллическую решетку как бесконечно протяженную, отвлекаясь от того, что каждый кристалл имеет ограниченные размеры. При этом, вследствие пространственной периодичности расположения атомов, при параллельных переносах на определенные расстояния в определенных направлениях решетка совмещается сама с собой. [18]
Коренные различия в свойствах аморфных и кристаллических тел, даже когда они имеют один и тот же химический состав, обусловлены характером пространственного расположения частиц. Рентгеноструктурный анализ позволил установить, что строение кристаллов характеризуется периодичностью расположения частиц во всех трех измерениях. [19]
 |
Ориентировка кристаллических решеток в зернах литого металла ( а и после обработки давлением ( б. [20] |
Идеальная кристаллическая решетка представляет собой многократное повторение элементарных кристаллических ячеек. Для реального металла характерно наличие большого количества дефектов строения, нарушающих периодичность расположения атомов в кристаллической решетке. Эти дефекты оказывают существенное влияние из свойства материала. [21]
 |
Полярная диаграмма поверхностной энергии. [22] |
Поверхность кристалла также входит в двумерные дефекты. Отнесения ее к числу дефектов требуют и формальные соображения ( нарушение периодичности расположения элементов структуры), и искажение в расположении частиц вблизи поверхности раздела по сравнению с их расположением вдали от нее. Например, для грани куба галоидов щелочных металлов установлено [ Де Бур Я. [23]
Магнитный порядок присущ не только кристаллическим eeiuect - вам, но и некоторым химическим соединениям в аморфном состоянии, у которых отсутствует кристаллическая решетка, но имеет место обменное взаимодействие. Наличие последнего можно объяснить тем, что обменная энергия в основном зависит от расстояния между ближайшими соседями, а не от периодичности расположения атомов в решетке. Действительно, хотя для аморфных тел характерен только ближний порядок в расположении атомов, но он приводит к дальнему порядку, сохраняемому на расстояниях, значительно превышающих межатомные, а следовательно, и к маг-нитоупорядоченной структуре. [24]
В средней части периодов находятся амфотерные элементы. Заканчивается каждый период, исключая последний, инертным элементом. Периодичность изменения химических свойств элементов зависит от периодичности расположения электронов по энергетическим уровням. [25]
Стильбанса и его сотрудников [53] показывают, что подвижность электронов определяется преимущественно расположением положительных ионов, в то время как подвижность дырок - расположением отрицательных. Ионы располагаются таким образом, чтобы расстояния между соседними ионами было порядка нескольких ангстрем, в то время как длины волн электронов и дырок, согласно обычной зонной теории, составляют около десяти таких расстояний. Эти факты свидетельствуют о том, что электронные волны концентрируются вблизи ионов, имеющих заряд противоположного знака. Нарушение периодичности расположения именно этих зарядов приводит к рассеянию. Едва ли известны какие-нибудь случаи, когда на подвижность оказывали влияние дефекты в расположении ионов, имеющих заряд такого же знака, что и упомянутые выше носители заряда. [26]
Исследования последних лет показали, что возникновение поверхности само по себе вызывает анизотропию свойств металла в приповерхностном слое. Теоретические расчеты и экспериментальные наблюдения показывают, что происходит перестройка поверхности металла. Например, на гранях монокристалла вольфрама отмеча-ется перегруппировка атомов в верхней плоскости параллельно самой себе. На других металлах, по данным ДМЭ, периодичность расположения атомов в поверхностных слоях различных граней монокристаллов отличается от объемной и свидетельствует о перестройке поверхности. Это наблюдается на платине, золоте и никеле. [27]
В непористых мембранах из-за отсутствия пор в плотном слое резко сокращается количество вещества, адсорбированного поверхностью, решающую роль играет растворимость газов в матрице мембраны. Процесс идет по механизму абсорбции, который условно включает стадии поверхностной сорбции и последующего растворения газа; при этом возможна диссоциация молекулы газа или образование нового химического соединения. Во втором случае необходимо различать дисперсную фазу и дисперсионную среду. В полимерах роль дисперсной фазы играют структурные образования, характеризующиеся периодичностью расположения макромолекул и большой плотностью упаковки. Мембраны, изготовленные из композиционных материалов с наполнителями или армирующими элементами, представляют собой многофазные системы. [28]
Выполнении первого и третьего правил открывает возможность существования в стекле пли в расплаве трехмерной сетчатой структуры, в котором отсутствует дальний порядок. Так, кварцевое стекло построено из сочлененных вершинами тетраэдров 8Ю4, в которых каждый кислородный атом связан только с двумя атомами кремния. Такая нежесткая структура способствует тому, ч го валеншые углы между связями кислородного атома Si-О - Si могут изменяться в широких пределах, не приводя к разрушению самих тетраэдров. Таким образом, возможна реализация трехмерной сетчатой структуры, в которой отсутствуют дальний порядок и периодичность расположения атомов. В каждой полиморфной модификации кристаллического оксида кремнии ( кварц, крисчобалнт и др.) величина валентных углов Si-О - Si строго постоянна, что приводит к регулярному расположению тетраэдров SiO. И кристаллический оксид кремния, и кварцевое стекло имеют сетчатые структуры, но сама структура сетки у них различная: одна сетка - регулярная, упорядоченная. [29]
Захариассена сводилось к тому, что в стеклах, как и в кристаллах, атомы должны быть увязаны в единую трехмерную сетку. Она должна быть весьма близка к трехмерной пространственной решетке, характерной для кристаллических веществ, отличаясь лишь отсутствием строгой периодичности. Это выполняется тогда, когда координационное окружение в первой координационной сфере будет одинаковым в стекле и кристалле, а стало быть, будут одинаковыми и основные структурные элементы. Однако если в кристалле эти структурные элементы расположены так, что создают правильную трехмерную решетку, то в стекле угловые связи настолько искажаются, что периодичность расположения структурных элементов не выдерживается, и сетка становится хаотичной. Следует, однако, отметить, что энергия такой сетки сравнима с энергией, соответствующей кристаллической решетке. [30]
Страницы: 1 2 3