Резонансный пик

Cтраница 3

Определение полосы пропускания резонансного пика амплитудно-частотной характеристики гребенчатого фильтра с трехпетлевой запаздывающей обратной связью затруднительно, так как связано с нахождением корней алгебраического уравнения пятой степени. [31]

Ом, вследствие чего резонансный пик уменьшается в ( 2 3 3) / 2 2 6 раза. [32]

На рис. 18 показан первый резонансный пик кривой, изображенной на рнс. [33]

В технике относительная острота резонансного пика определяется добротностью Q колебательной системы. Добротностью называют умноженное на я число полных колебаний N, в течение которых амплитуда уменьшается в е раз. [34]

Таким образом, величина резонансного пика равна обратной величине расстояния до полюса от точки наибольшего приближения. Геометрические места равных М, следовательно, являются окружностями с центрами в полюсе и радиусами, равными ИМ. У системы может быть несколько резонансных пиков в частотной характеристике. Величины М определяются значением 1 IRm n для каждой окружности, которой касается кривая Найквиста. [35]

Таким образом, появление резонансных пиков при разных значениях индукции внешнего магнитного поля, когда развертка спектра проводится по полю при постоянной частоте, зависит прежде всего от g - фактора. Поскольку это так и поскольку g - фактор отражает характер спин-орбитального взаимодействия в системе, то в известном смысле чисто формально и условно этот параметр можно сравнивать с химическим сдвигом в спектрах ЯМР, хотя информативность g - фактора ниже. [36]

Было обнаружено свыше 65 резонансных пиков, из которых около 40 были идентифицированы. Там же приведены значения резонансных полей, полученных на основе теории, описанной выше. Причина такого выбора выяснится из дальнейшего. [37]

Отсутствие на частотных характеристиках резонансных пиков указывает на то, что колебания момента на валу двигателя не могут быть источником возникновения резонансных колебаний на выходном звене. [38]

Так как частота юре3 резонансного пика ЛАЧХ заключена в пределе Ш4 ( 0резсйз, ЦСП находится под действием внутренних возмущений. Переходные процессы на выходе ЦСП имеют вид ярко выраженных биений. При малых значениях амплитуд периодические режимы также имеют характер биений, выраженных, однако, более слабо. [39]

Это сильно затрудняет интерпретацию резонансных пиков поглощения в конденсированных средах. [40]

Во всех случаях максимумы резонансных пиков ионов ( М-29) сдвинуты в сторону больших энергий электронов относительно максимумов выхода ( М - Н) -, что характерно для дочерних ионов, так как с ростом энергии электронов в пределах одного резонансного пика увеличивается вероятность диссоциации иона. [41]

Заметный сдвиг центра тяжести резонансного пика арсе-пидного стекла по отношению к положению резонансной линии кристалла в сторону более положительных значений скорости может быть обусловлен возрастанием степени кова-лентности связи для стеклообразного состояния по сравнению с кристаллическим. [42]

Резонансные пики образования молекулярных отрицательных ионов фенилимида пиромелитовой кислоты и среднее время жизни молекулярных ионов в зависимости от энергии захватываемого электрона. [43]

Обнаружено [122] существование четырех резонансных пиков выхода молекулярных отрицательных ионов фенилимида пиро-меллитовой кислоты с максимумами при 0 08, 1 6 и 4 2 эв энергии электронов. На основании того, что зависимость времени жизни ионов от энергии Электронов чувствует положения резонансных пиков на шкале энергии электронов, можно заключить, что в каждом пике, по-видимому, происходит перестройка геометрии молекулы, поглощающая энергию захваченного электрона. [44]

Существующие магнитострикционные ультразвуковые преобразователи имеют острый резонансный пик, что исключает возможность их применения при указанном способе. Кроме того, по мере кристаллизации слитка его волновое сопротивление изменяется в связи с изменением скорости распространения колебаний и плотности материала, что также приводит к нарушению согласования излучателя и нагрузки. [45]

Страницы: 1 2 3 4