Cтраница 1
Пикус, Бурстайн, Хенвис и Хасс [19] определили величины эффективных зарядов для некоторых соединений III-V, пользуясь полученными ими спектрами отражения ( они приведены на фиг. [1]
Бурстейн, Пикус и Джебби [39] наблюдали циклотронный резонанс в далекой инфракрасной области частот в InSb, а Кэйз, Цвердлинг, Фонер, Колм и Лэкс [40] - в InAs. Циклотронный резонанс подробно изучен в Ge и Si и в результате полностью определена структура зон в этих полупроводниках вблизи экстремумов. [2]
По данным Пикуса [10], 25 % - ный раствор хлорного железа пригоден для 14-кратного сплава золото-медь-серебро. В реактив добавляют равное количество 3 % - ной перекиси водорода. [3]
После того как эта статья была отдана в печать, нам стала известна экспериментальная работа Бурштейна, Пикуса и Хенвиса ( будет опубликована), в которой наблюдались оптические переходы из основного донорного состояния в различные возбужденные. Эти измерения находятся в прекрасном согласии с теорией возбужденных / j - состояний, изложенной в данной статье. Обсуждение экспериментальных данных в свете этой теории подготавливается к печати. [4]
Выполнив эти преобразования и убедившись, что t h обычно отличается от ъв не более чем на порядок, Пикус пришел к заключению, что a k не может играть значительную роль. [5]
Проведя этот анализ и убедившись в том, что тф обычно не больше чем на порядок отличается от тэ, Пикус пришел к выводу, что ос. [6]
Проведя этот анализ и убедившись в том, что т ф обычно не больше чем на порядок отличается от тэ, Пикус пришел к выводу, что аф существенной роли играть не может. [7]
Теоретическое объяснение этих аномально больших значений термо аде было дано в 1953 г. Херрингом и Фредериксом на основе эффекта увлечения электронов фононами и формулы ( 20), впервые выведенной, но неправильно интерпретированной Пикусом. [8]
Теоретическое объяснение таким аномально большим значениям термоэдс было дано Херрингом и Фредериксом в 1953 г. на основе представлений об увлечении электронов фононами и формулы ( 16), которая впервые была выведена, но некорректно проинтегрирована Пикусом. [9]
Величина ie может быть оценена, если известна подвижность электронов nieelm. Выполнив эти преобразования и убедившись, что iph обычно отличается от те не более чем на порядок, Пикус пришел к заключению, что a h не может играть значительную роль. [10]
При отсутствии адсорбции влияние поверхности следует все-таки иметь в виду, хотя у молекулярных кристаллов оно проявляется совершенно по-другому, чем у металлов [92], в которых свободно движущийся в зоне проводимости электрон, прежде чем оторваться, должен преодолеть потенциальный барьер. Существование поверхностных состояний в некоторых полупроводниках, например германии и кремнии, хорошо известно [7]; было показано, что эти состояния могут оказывать влияние на различные свойства, в том числе на контактные потенциалы. Пикус [115] изучал фотоэмиссию с поверхностных слоев полупроводников и диэлектриков. Он установил, что в случае заполненных или полузаполненных поверхностных зон поверхностный фототек составляет значительную часть общего фототока полупроводника. [11]
AIUBV, дает информацию о механизмах рекомбинации и спиновой релаксации носителей. Для полупроводников характерны специфич. Вира - Аронова - - Пикуса), при комнатной темп-ре - механизм Дьяконова - Переля, обусловленный снятием спинового вырождения зон в кристаллах без центра инверсии. [12]
Энергетические уровни других примесей обычно расположены дальше от валентной зоны или зоны проводимости. Эти данные взяты из обзоров, составленных Бартоном [45], ВудберииТайлером [46] Бурстейном Пикусом и Скляром [47], и из других источников, упомянутых в гл. Видно, что для германия имеется больше данных, чем для кремния, и что подавляющее число примесей имеет больше одного уровня. Случай золота уже подробно обсуждал - - ся в гл. [13]
В них имеется указание на неопубликованную диссертацию Шлихтера ( Геттпнгенский университет, 1915 г.) на тему о вакуумных диодах как генераторах электроэнергии. Особенно ясно вопрос изложен в ряде статей сотрудников Дженерал электрик в апрельском номере Journal of Applied Physics за 1959 г. и в вышеуказанной статье Мойжеса и Пикуса. [14]
При комнатной температуре длина волны тепловых электронов порядка 10 - 7 см, а при низких температурах она возрастает. Отсюда следует, что формула ( 16) должна содержать время релаксации тех фононов, у которых длина волны много больше, чем постоянная решетки. Херринг показал, что время релаксации т таких фононов на несколько порядков превосходит среднее время релаксации т Л, полученное из формулы для теплопроводности, и соответственно & pk оказывается в столько же раз больше величины, рассчитанной Пикусом. [15]